[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310299558.X
• 申請(qǐng)日: 2013-07-17
• 公開（公告）號(hào): CN103872005A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李東基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/52
• 分類號(hào): H01L23/52;H01L23/31;H01L27/02;H01L21/768;H01L21/50;H01L21/77
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;毋二省

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)；

第一層間絕緣層和導(dǎo)電圖案，所述第一層間絕緣層和所述導(dǎo)電圖案交替層疊在所述襯底的第一區(qū)上；

第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層覆蓋所述第一層間絕緣層和所述導(dǎo)電圖案；以及

電阻器，所述電阻器形成在所述襯底的第二區(qū)中的第二層間絕緣層中。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

通孔，所述通孔穿通所述第一層間絕緣層和所述導(dǎo)電圖案；

溝道層，所述溝道層沿著所述通孔的表面形成，使得所述溝道層為具有開口中心部分的管形；

絕緣層，所述絕緣層形成在所述溝道層的所述中心部分中，其中所述絕緣層的高度小于所述溝道層的高度；以及

導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞形成在所述溝道層的位于所述絕緣層上的中心部分中。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電插塞由與所述電阻器相同的材料形成。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電插塞和所述電阻器具有相同高度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電圖案的邊緣和所述第一層間絕緣層的邊緣從所述第一區(qū)延伸至所述第二區(qū)，使得在所述襯底的第二區(qū)上形成了臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

驅(qū)動(dòng)?xùn)牛鲵?qū)動(dòng)?xùn)判纬稍谒鲆r底的第二區(qū)中，其中所述驅(qū)動(dòng)?xùn)疟凰龅诙娱g絕緣層覆蓋、且被設(shè)置成與所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)相鄰，

其中所述電阻器包括與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)胖丿B的第一電阻器。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電阻器包括設(shè)置在覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的第二層間絕緣層中的第二電阻器。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電阻器由多晶硅形成。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在包括第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上交替層疊第一材料層和第二材料層；

刻蝕形成在所述第二區(qū)上的第一材料層和第二材料層；

形成層間絕緣層，所述層間絕緣層填充在其中第一材料層和第二材料層被刻蝕掉的區(qū)域中；

通過刻蝕所述襯底的第二區(qū)上的層間絕緣層來形成第一凹陷區(qū)；以及

在所述第一凹陷區(qū)內(nèi)形成電阻器。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

形成通孔，所述通孔穿通形成在所述襯底的第一區(qū)上的第一材料層和第二材料；

沿著限定所述通孔的表面形成管形溝道層，使得所述溝道層具有開口中心部分；

在所述管形溝道層的中心部分中形成絕緣層；

通過刻蝕所述絕緣層來在所述通孔中形成第二凹陷區(qū)；以及

在所述第二凹陷區(qū)中形成導(dǎo)電插塞。