[發明專利]一種等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201310299430.3
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN104299874B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 左濤濤;吳狄
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 王潔

1.一種電感耦合等離子體處理裝置，包括一絕緣窗口和位于絕緣窗口下方的腔體蓋，腔體蓋下方設置腔體側壁，所述腔體蓋和所述腔體側壁之間設置一等離子體加熱環，其特征在于：所述等離子體加熱環內設置一加熱元件，用于對等離子體進行加熱，所述加熱元件周圍設置至少一條隔熱渠道；所述等離子體加熱環的高度與存在等離子體的區域的高度相同；

所述等離子體加熱環包括位于內側的第一部分、位于外側的第二部分，所述加熱元件設置于所述第一部分，所述第一部分與所述第二部分被縱向延伸的隔熱渠道(133)所隔離。

2.根據權利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述加熱元件周圍設置第一條隔熱渠道和第二條隔熱渠道，所述第一條隔熱渠道靠近所述等離子體加熱環與所述腔體蓋的接觸面，所述第二條隔熱渠道靠近所述等離子體加熱環與所述腔體側壁的接觸面，所述第一條隔熱渠道和第二條隔熱渠道平行。

3.根據權利要求2所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述加熱元件周圍還設置第三條隔熱渠道，所述第三條隔熱渠道垂直于所述第一條隔熱渠道和所述第二條隔熱渠道。

4.根據權利要求3所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述第三條隔熱渠道設置于所述加熱元件靠近反應腔外部空間的一側。

5.根據權利要求4所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述的第三條隔熱渠道與所述第一條隔熱渠道和第二條隔熱渠道相連通。

6.根據權利要求1所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述加熱元件周圍設置一條隔熱渠道，所述隔熱渠道為環繞所述加熱元件設置的弧形渠道，其設置于所述加熱元件靠近反應腔外部空間的一側。

7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述等離子體加熱環為鋁或鋁合金材質。

8.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述等離子體加熱環包括靠近腔體蓋的上端和靠近腔體側壁的下端，所述上端徑向寬度大于所述下端徑向寬度。

9.根據權利要求8所述的電感耦合等離子體處理裝置，其特征在于：所述等離子體加熱環的下端和所述腔體側壁平行設置且兩者之間設置一定縫隙。