[發明專利]低電容單向瞬態電壓抑制器

有效

• 申請號: 201310299076.4
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN103413807A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 趙杰;翟東媛;趙毅
• 申請（專利權）人: 常州子睦半導體有限公司;南京大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8222
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.一種單向低電容瞬態電壓抑制器，其特征在于，包括P+半導體襯底，位于P+襯底上的P-外延層，所述的P-外延層上從左到右依次設有第一N阱，第一P+有源注入區，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分別設有第一N+有源注入區和第二N+有源注入區；所述的第一P阱上設有第一N-有源注入區和第二P+有源注入區；所述的第一N-有源注入區上設有第三P+有源注入區；所述的第二N+和第三P+有源注入區、第一N+第一P+及第二P+有源注入區分別通過金屬連接并引出。

2.根據權利要求1所述的單向低電容瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述單向低電容瞬態電壓抑制器還包括下述改進之一或組合：P+半導體襯底摻雜濃度為1*10¹⁸～5*10¹⁸atom/cm³；P-外延層摻雜濃度為1*10¹³～5*10¹³atom/cm³，厚度為19～20μm；第一P阱的摻雜濃度為1*10¹⁸atom/cm³(表層濃度)，濃度逐漸減少到外延層濃度，深度為9～10μm；第一、第二N+有源注入區的摻雜濃度為5*10¹⁸～1*10²⁰atom/cm³，深度為1～2μm；第一、第二和第三P+有源注入區的摻雜濃度為1*10¹⁹～1*10²⁰atom/cm³，深度為1～1.5μm；第一N-有源注入區的摻雜濃度為5*10¹⁵～1*10¹⁷atom/cm³，深度為5～6μm。

3.根據權利要求2所述的單向低電容瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述的第一N+有源注入區與第一N阱靠近第一P+有源注入區的一側邊緣相切，拉近與第一P+有源注入區的距離。

4.根據權利要求3所述的單向低電容瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述單向低電容瞬態電壓抑制器的保護電壓為5-10V。

5.一種如權利要求1-3中任意一項所述的單向低電容瞬態電壓抑制器的制作工藝，其特征在于：包括以下步驟：

在P+襯底上生長一層均勻的P-外延層；

依次在P-外延層通過離子注入和推阱形成P阱和N阱；

在有源區在生長場氧，用注入擴散的方式在有源區生成P+、N-和N+有源注入區；以及

生長鈍化層，通過金屬進行相應的互聯并引出。