[發明專利]智能功率模塊的制造方法有效
| 申請號: | 201310298436.9 | 申請日: | 2013-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN104112678A | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發明(設計)人: | 陳玲娟;程德凱 | 申請(專利權)人: | 廣東美的制冷設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L25/16 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 李艷麗 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 功率 模塊 制造 方法 | ||
1.一種智能功率模塊的制造方法,其包括如下步驟:
S1)提供半成品智能功率模塊,該半成品智能功率模塊包括基板、形成于所述基板的一面的絕緣層、形成于所述絕緣層上且相互獨立的第一線路及第二線路、設置于所述第一線路上的若干電子元器件及電性連接相關所述電子元器件的連接線;
S2)提供引線框架結構,該引線框架結構包括末端連接在一起的若干固定腳及末端連接在一起的若干電引腳;
S3)焊接各個固定腳的首端于所述第二線路上,焊接各個電引腳的首端于所述第一線路上,所述固定腳與所述電引腳分別位于所述基板的相對兩側;
S4)放置焊接有固定腳與電引腳的半成品智能功率模塊于模具的型腔內,并利用模具夾持所述固定腳的末端及所述電引腳的末端;
S5)于模具的型腔內注入液態封裝體,待液態封裝體固化后,所述基板、所述絕緣層、所述第一線路、所述第二線路、所述電子元器件、所述連接線、所述固定腳的首端及所述電引腳的首端無孔封裝于封裝體內;
S6)開模并將封裝后的半成品智能功率模塊取出;
S7)切割所述電引腳的連接在一起的末端及切割所述固定腳的伸出所述封裝體外的部分。
2.如權利要求1的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S2)中,所述引線框架結構的固定腳的末端及電引腳的末端連接在一起。
3.如權利要求1的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S3)中所述固定腳的數量為二,所述二固定腳的首端分別連接于所述基板的相應側的相對兩端部。
4.如權利要求3的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S3)中所述第二線路包括設置于所述基板的同側的相對兩端部的二子線路,所述二子線路形成于所述絕緣層上,所述二固定腳的首端分別焊接于所述基板的二子線路上。
5.如權利要求3的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S3)中,所述第二線路于所述基板的相應側的相對兩端部形成二焊盤,所述固定腳的首端與所述焊盤一一連接。
6.如權利要求5的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:所述固定腳的與所述第二線路連接的首端部進行折彎處理。
7.如權利要求1的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S3)中,所述第一線路在所述基板的一側邊緣處形成多個并排分布的焊盤,所述電引腳的首端與所述焊盤連接。
8.如權利要求7的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:所述電引腳的與所述第一線路連接的首端部進行折彎處理。
9.如權利要求1-8任一項的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:在步驟S7)中,所述固定腳的切斷面與所述封裝體的外表面相平齊。
10.如權利要求1-8任一項的智能功率模塊的制造方法,其特征在于:所述基板為金屬基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





