[發(fā)明專利]紫外探測器及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310296878.X | 申請日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN103346198A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 梅增霞;侯堯楠;梁會力;劉堯平;杜小龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京智匯東方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范曉斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紫外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種紫外探測器，包括：
ZnO襯底；
布置在所述ZnO襯底上的BeO絕緣層；以及
布置在所述BeO絕緣層上的MxZn1-xO薄膜層，其中，M為Mg或Be，0<x<1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外探測器，其中，所述BeO絕緣層的厚度為30～90nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紫外探測器，其中，所述BeO絕緣層的厚度為40～60nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的紫外探測器，其中，所述MxZn1-xO薄膜層由纖鋅礦結(jié)構(gòu)的MxZn1-xO材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的紫外探測器，其中，所述MxZn1-xO薄膜層的厚度為100～1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的紫外探測器，其中，還包括在所述MxZn1-xO薄膜層表面制備的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項所述的紫外探測器，其中，所述薄膜層由多層不同M組分的MxZn1-xO材料形成。
8.一種紫外探測器的制備方法，包括：
在ZnO襯底上沉積BeO絕緣層；
在所述BeO絕緣層上生長一層MxZn1-xO薄膜層，其中，M為Mg或Be，0<x<1；
在所述MxZn1-xO薄膜層表面沉積金屬電極，從而得到所述紫外探測器。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
