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[發明專利]VCV立式L型化學交聯電纜生產工藝及承載立塔有效

專利信息
申請號: 201310295912.1 申請日: 2013-08-03
公開(公告)號: CN103366897A 公開(公告)日: 2013-10-23
發明(設計)人: 周法查 申請(專利權)人: 浙江亙古電纜有限公司
主分類號: H01B13/00 分類號: H01B13/00
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 317004 浙江*** 國省代碼: 浙江;33
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摘要:
搜索關鍵詞: vcv 立式 化學 交聯 電纜 生產工藝 承載
【說明書】:

技術領域

發明屬于電纜技術領域,具體涉及一種VCV立式“L”型化學交聯電纜生產工藝,同時涉及其中的VCV三層共擠交聯生產線的立塔。?

背景技術

高壓電纜(110kv交聯聚乙烯絕緣電纜)適用于城市人口密集、土地資源有限從而保證人民財產、生命安全,目前,國內外先進的高壓電纜生產技術中,通過VCV三層共擠交聯生產線對電纜芯體進行導體屏蔽/絕緣/絕緣屏蔽三層共擠,然而,現有技術中的VCV三層共擠交聯生產線存在擠出速度慢,生產成本高,立塔占地面積大,施工和維護成本高的缺點。?

發明內容

????為了克服現有技術中存在的上述不足之處,本發明的目的在于提供一種安全可靠,實用性好,易為市場接受的VCV立式“L”型化學交聯電纜生產工藝,以及其中的VCV三層共擠交聯生產線的立塔。?

為了達到上述之目的,本發明采用如下具體技術方案:?

VCV立式“L”型化學交聯電纜生產工藝,包括以下步驟:

步驟一、原材料預備:預備電工圓銅線,電工圓銅線性能指標符合GB/T3953-2009;

步驟二、拉絲:采用拉絲機將圓銅線以冷拔的的方式拉制成軟單線;

步驟三、絞合:采用專用預成型JLK630/30D-84盤絞線車(由合肥神馬科技股份有限公司生產)對軟單線進行絞合,得到電纜芯部的導體;

步驟四、導體屏蔽/絕緣/絕緣屏蔽三層共擠:將導體通過VCV三層共擠交聯生產線,VCV三層共擠交聯生產線在導體表面先后擠出有屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層,形成絕緣線芯并收卷,絕緣線芯的收線盤筒體直徑大于絕緣芯線直徑的20倍。

步驟五、半導電屏蔽帶和緩沖阻水帶繞包:在絕緣線芯的表面先進行搭蓋率≥15%的半導電屏蔽帶繞包,后進行搭蓋率≥50%的緩沖阻水帶繞包;?

步驟六、皺紋鋁護套包覆:在經過上一步驟的絕緣線芯表面包覆皺紋鋁護套,皺紋鋁護套采用氬弧焊接連接;

步驟七、瀝青防腐:在皺紋鋁護套的外側涂覆瀝青,形成防腐瀝青層。

步驟八、外護套擠出:采用擠出機在瀝青層表面擠出成型有外護套,外護套采用聚氯乙烯,外護套的外層包覆一層半導電PE或涂覆一層半導電石墨。?

步驟九、收卷。?

所述步驟七之前需要對鋁套焊接點進行渦流探傷。?

所述步驟八中,半導電石墨采用熱涂覆的方式與外護套復合,并形成均勻、連續、光滑的半導電石墨涂層。?

一種用于承載VCV三層共擠交聯生產線的立塔,包括立塔主體,立塔主體內設置有VCV三層共擠交聯生產線,所述立塔主體的下部設置有下牽引輪和回轉倉,立塔主體的上部安裝有上牽引輪,上牽引輪的下側設置有導體預加熱裝置,導體預加熱裝置的下側設置有三層共擠點;導體順序通過下牽引輪、上牽引輪、回轉倉后到達收卷點,其中,導體通過三層共擠點時成型為電纜芯體,三層共擠點至收卷點的電纜芯體的行進路徑呈L形。?

所述立塔的下部設置有儲水槽,所述回轉倉設置在儲水槽內并浸沒于水中,所述收卷點高于儲水槽的水平面;所述三層共擠點至所述水平面的電纜芯體的行進路徑依次設置為加熱段、預冷段和氣冷段,加熱段的立塔主體上設置有對電纜芯體進行加熱的加熱裝置,氣冷段的立塔主體上設置有對電纜芯體進行風冷的鼓風裝置。?

所述上牽引輪一側的立塔主體上設置有凈化室;所述導體預加熱裝置用于確保導體在溫度90℃時,進入三層共擠點。?

與現有的技術相比,本發明具有以下突出優點和效果:?

本發明的實用性好,提高了生產效率,立塔的布局更為合理,導體進入三層共擠點的速度更快,同時,成型的電纜芯體采用氣冷結合水冷的方式,冷卻速度更快,從而使得出線速度提增了15%。

附圖說明

圖1為本發明的承載VCV三層共擠交聯生產線的立塔示意圖。?

具體實施方式

如圖1所示,VCV立式“L”型化學交聯電纜生產工藝,包括以下步驟:?

步驟一、原材料預備:預備電工圓銅線,電工圓銅線性能指標符合GB/T3953-2009;

步驟二、拉絲:采用拉絲機將圓銅線以冷拔的的方式拉制成軟單線;

步驟三、絞合:采用專用預成型JLK630/30D-84盤絞線車對軟單線進行絞合,得到電纜芯部的導體;

步驟四、導體屏蔽/絕緣/絕緣屏蔽三層共擠:將導體通過VCV三層共擠交聯生產線,VCV三層共擠交聯生產線在導體表面先后擠出有屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層,形成絕緣線芯并收卷,絕緣線芯的收線盤筒體直徑大于絕緣芯線直徑的20倍。

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