[發明專利]制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法

在審

• 申請號: 201310295844.9
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104299900A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 王萬禮;王根毅;芮強;黃璇
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，包括下列步驟：

提供襯底；

在所述襯底正面外延生長形成重摻雜的N型外延層，作為場截止層；

在所述場截止層注入N型雜質；

在所述場截止層上外延生長形成輕摻雜的N型外延層，作為耐壓層；

在所述耐壓層上制造所述場截止型絕緣柵雙極晶體管的正面結構；

將所述襯底自背面開始進行減薄處理；

自所述減薄后的襯底背面進行P型離子注入并退火；

對所述襯底背面進行背面金屬化。

2.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述在場截止層注入N型雜質的步驟中，采用離子注入方法或擴散方法。

3.根據權利要求2所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述在場截止層注入N型雜質的步驟之后，進一步包括，在所述場截止層上進行推阱。

4.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述場截止層的厚度的范圍為5～200微米，電阻率的范圍為0.001～200歐姆·米。

5.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述耐壓層的厚度的范圍為5～400微米，電阻率的范圍為0.001～200歐姆·米。

6.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述正面結構包括柵極結構，柵極結構為平面柵結構、溝槽柵結構，或者是以平面柵或溝槽柵結構為基礎含有埋層的柵極結構。

7.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述襯底的材料為硅、碳化硅、砷化鎵或者氮化鎵。

8.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述重摻雜和輕摻雜工藝中所用的雜質為帶有施主能級的雜質。

9.根據權利要求8所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，所述帶有施主能級的雜質為磷或砷。

10.根據權利要求1所述的制造場截止型絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，在所述襯底正面外延生長形成重摻雜的N型外延層和在所述場截止層上外延生長形成輕摻雜的N型外延層的步驟中，所述外延工藝為氣相外延、液相外延、分子束外延或化學分子束外延。