[發明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201310294973.6
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN103579383A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李熙鏞
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓明星

1.一種太陽能電池，包括：

基板；

后電極層，位于基板上，后電極層包括多層金屬柱狀晶粒層；

光吸收層，位于后電極層上；

透明電極層，位于光吸收層上。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，每層金屬柱狀晶粒層包括鉬。

3.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，每層金屬柱狀晶粒層的厚度在20nm和500nm之間。

4.如權利要求3所述的太陽能電池，其中，每層金屬柱狀晶粒層的厚度在50nm和100nm之間。

5.如權利要求1所述的太陽能電池，所述太陽能電池還包括位于相鄰成對的金屬柱狀晶粒層之間的界面，所述界面包括氧原子。

6.如權利要求5所述的太陽能電池，其中，氧原子的量在后電極層的原子總量的1原子%和70原子%之間。

7.如權利要求6所述的太陽能電池，其中，氧原子的量在后電極層的原子總量的1原子%和20原子%之間。

8.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，后電極層包括不多于9層的金屬柱狀晶粒層。

9.如權利要求1所述的太陽能電池，其中，光吸收層包括Cu、In、Ga和Se中的至少一種。

10.一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括下述步驟：

在沉積室中放置基板；

形成包括多層金屬柱狀晶粒層的后電極層；

在后電極層上形成光吸收層；

在光吸收層上形成透明電極層。

11.如權利要求10所述的方法，其中，形成后電極層的步驟包括：

通過在基板上或者在金屬柱狀晶粒層中的前一層金屬柱狀晶粒層上沉積鉬來形成金屬柱狀晶粒層中的一層金屬柱狀晶粒層；

在形成金屬柱狀晶粒層中的所述一層金屬柱狀晶粒層后的中斷時間之后，通過在金屬柱狀晶粒層中的所述一層金屬柱狀晶粒層上沉積鉬來形成金屬柱狀晶粒層中的下一層金屬柱狀晶粒層。

12.如權利要求11所述的方法，其中，中斷時間在1秒和1小時之間。

13.如權利要求11所述的方法，其中，氧原子在中斷時間期間被置于后電極層中。

14.如權利要求13所述的方法，其中，被置于后電極層中的氧原子的量與中斷時間的時長和中斷時間的次數中的至少一種相對應。

15.一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括在沉積室中放置基板以及通過下述步驟形成后電極層：

在基板上沉積鉬，以形成第一金屬柱狀晶粒層；

在形成第一金屬柱狀晶粒層后的中斷時間之后，在第一金屬柱狀晶粒層上沉積鉬，以在第一金屬柱狀晶粒層上形成第二金屬柱狀晶粒層。

16.如權利要求15所述的方法，其中，氧原子在中斷時間期間被置于后電極層中。

17.如權利要求16所述的方法，其中，氧原子的量與中斷時間的時長和中斷時間的次數中的至少一種相對應。

18.如權利要求15所述的方法，其中，中斷時間在1秒和1小時之間。

19.如權利要求15所述的方法，其中，在0.05Pa到5Pa的壓強下沉積鉬。

20.如權利要求15所述的方法，其中，通過濺射來沉積鉬。