[發(fā)明專(zhuān)利]等離子體處理裝置的清潔方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310294419.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104282518A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王兆祥;蘇興才 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 清潔 方法 | ||
1.一種用于等離子體處理裝置的清潔方法，其中，所述等離子體處理裝置包括一腔室，基片放置于腔室之中進(jìn)行制程，其中，所述清潔方法包括如下步驟：
a.在基片制程之前，在所述腔室表面沉積不含氟的聚合物層；
b.執(zhí)行基片制程，然后將基片移除出腔室以外；
c.往腔室中通入清潔氣體，并連接射頻能量產(chǎn)生等離子體，以對(duì)腔室內(nèi)部進(jìn)行清潔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟a還包括如下步驟：在基片制程之前，在靜電夾盤(pán)上沉積不含氟的聚合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述清潔氣體包括O2，O2與N2或Ar的混合氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟a還包括如下步驟：在制程之前，往腔室中通入第一氣體，并連接射頻能量產(chǎn)生等離子體，以在所述腔室表面沉積不含氟的聚合物層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔方法，其特征在于，所述第一氣體為COS/N2，CO/H2，CO/NH3，CH4，C2H2，C2H4，C2H6，C3H6，C3H8,C4H10。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清潔方法，其特征在于，所述第一氣體與N2和/或NH3混合調(diào)節(jié)不含氟的聚合物層的濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔方法，其特征在于，所述射頻能量為60MHZ，所述步驟a的執(zhí)行時(shí)間為15秒至40秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟c的執(zhí)行時(shí)間為15秒至30秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述聚合物層的厚度為100nm到300nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔方法，其特征在于，所述步驟c之后還包括如下步驟d：將清潔冗余用真空泵抽出腔室。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的清潔方法，其特征在于，在所述步驟d之后還包括如下步驟e:將基片傳輸入所述腔室，并對(duì)基片進(jìn)行制程。
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