[發明專利]具有布拉格反射層位于窗戶層之間的發光元件

在審

• 申請號: 201310294349.6
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103545414A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 邱柏順;郭得山;涂均祥;柯竣騰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種發光元件，特別是涉及一種具有布拉格反射層(Distributed?Bragg?Reflector；DBR)位于窗戶層之間的發光元件。

背景技術

發光二極管（Light-emitting?Diode；LED）是一種固態半導體元件，其至少包含一p-n接面（p-n?junction）形成于p型與n型半導體層之間。當于LED施加一定程度的偏壓時，出自p型半導體層中的空穴與出自n型半導體層中的電子會結合而釋放出光。此光產生的區域一般又稱為發光區（light-emitting?region）或主動層。

LED的主要特征在于尺寸小、可靠度高、發光效率高、壽命長、反應快速和色度良好，目前已經廣泛地使用在光學顯示裝置、交通號志、數據儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材上。隨著全彩LED的問世，LED已逐漸取代傳統的照明設備，如熒光燈和白熱燈泡。

如圖2所示，一現有發光裝置2包含一基板20；一發光結構22位于基板20之上；一第一電極24與一第二電極26位于發光結構22之上；以及一布拉格反射層(Distributed?Bragg?Reflector；DBR)28位于基板20之下，其中布拉格反射層28具有次層282與284交互堆疊。產生自發光結構22之光會被布拉格反射層28反射。然而有些光會被局限在布拉格反射層28的次層282與284之中，在數次內部全反射之后轉變為熱能。此外，基板20的側面太小而導致被布拉格反射層28反射之光無法被摘出，因此降低現有發光元件2的光摘出效率。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一發光元件，包含一基板；一發光疊層，位于基板之上；一第一窗戶層，位于基板之下；以及一布拉格反射層，位于第一窗戶層之下；其中以剖面觀之，第一窗戶層的寬度與基板的寬度大致相等。

附圖說明

圖1繪示本申請案一實施例的發光元件的剖視圖；

圖2繪示現有的發光元件的剖視圖；

圖3繪示本申請案另一實施例的燈泡分解示意圖。

符號說明

1、2、30??發光元件

10、20??基板

12、22??發光疊層

122??第一半導體層

124??主動層

126??第二半導體層

14、24??第一電極

16、26??第二電極

18??光摘出結構

182??第一窗戶層

184、28??布拉格反射層

186??第二窗戶層

282、284??次層

3???燈泡

31??燈罩

32??透鏡

33??載體

34??照明模塊

35??燈座

36??散熱槽

37??連結部

38??電連結器

具體實施方式

本發明的實施例會被詳細地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各附圖以及說明出現。

圖1繪示一發光元件1具有一基板10；一發光疊層12形成于基板10之上；以及一光摘出結構18形成于基板10之下。發光疊層12具有一第一半導體層122；一第二半導體層126；以及一主動層124位于第一半導體層122與第二半導體層126之間。此外，一第一電極14形成于第一半導體層122之上，一第二電極16形成于第二半導體層126之上。

光摘出結構18具有一第一窗戶層182位于基板10之下；一第二窗戶層186位于第一窗戶層182之下，以及一布拉格反射層184位于第一窗戶層182與第二窗戶層186之間，其中布拉格反射層184具有多個次層。如圖1所示，第一窗戶層182與第二窗戶層186中至少其一可提升光摘出效率，以及以剖面觀之，具有與基板10大致相等的寬度。然而另一實施例中，自剖面觀之，第一窗戶層182也可具有大于或小于第二窗戶層186的寬度，用以調整發光元件1的光場以符合產品應用。布拉格反射層184可反射產生自發光疊層12之光。基本上布拉格反射層184具有數個具有不同折射率的材料對，其中折射率的差異至少為0.5，較佳至少為1。

表1