[發明專利]離子注入方法以及離子注入裝置

在審

• 申請號: 201310294160.7
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103545161A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 二宮史郎;越智昭浩
• 申請（專利權）人: 斯伊恩股份有限公司
• 主分類號: H01J37/304
• 分類號: H01J37/304;H01J37/317
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種離子注入方法，其通過混合式掃描進行離子注入，其特征在于，具有：

預先設定離子注入時的離子束的掃描速度及物體的掃描速度的工序；及

根據所設定的離子束的掃描速度及物體的掃描速度而注入離子的工序，

所述預先設定的工序，

根據按照被離子照射的物體的表面形狀而變化的離子束的各掃描振幅來設定多個離子束的掃描速度，以確保離子束的掃描頻率恒定，

并設定與離子束的掃描速度所對應的物體的掃描速度，以確保注入到物體表面的每單位面積的離子注入量恒定。

2.根據權利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，

還具有在以離子束掃描整個物體期間的規定時刻，測定離子束的電流量的工序，

測定所述離子束的電流量的次數比以所述離子束掃描物體的次數少。

3.根據權利要求2所述的離子注入方法，其特征在于，

在以可獲取的離子束的掃描振幅中的最大掃描振幅進行掃描的時刻，測定所述離子束的電流量。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的離子注入方法，其特征在于，具有：

計算第1控制函數的工序，所述第1控制函數用于控制以可獲取的離子束的掃描振幅中的最大掃描振幅進行掃描的離子束；

根據所述第1控制函數計算第2控制函數的工序，所述第2控制函數控制以所述最大掃描振幅以外的掃描振幅進行掃描的離子束。

5.根據權利要求4所述的離子注入方法，其特征在于，

所述第1控制函數為表示周期性變動的電場或磁場的函數。

6.根據權利要求4所述的離子注入方法，其特征在于，

所述第1控制函數以及所述第2控制函數為離子束的控制電壓的時間變化，

如果將所述第1控制函數的控制電壓的最大值和最小值的差值設為ΔV1，

將所述第2控制函數的控制電壓的最大值和最小值的差值設為ΔV2，

則第2控制函數被設定為如下，

滿足ΔV2＜ΔV1，且

該第2控制函數的控制電壓從最大值到最小值變化的時間，與所述第1控制函數的控制電壓從最大值到最小值變化的時間相等。

7.根據權利要求4所述的離子注入方法，其特征在于，

計算所述第1控制函數的工序在注入離子的工序之前進行。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的離子注入方法，其特征在于，

所述物體為半導體晶圓。

9.一種離子注入方法，其為通過混合式掃描進行離子注入，其特征在于，具有：

設定離子注入時的離子束的掃描速度及物體的掃描速度的工序；及

根據所設定的離子束的掃描速度及物體的掃描速度而注入離子的工序，

所述進行設定的工序，

根據按照被離子照射的物體的表面形狀而變化的離子束的各掃描振幅，設定多個離子束的掃描速度，以確保離子束的掃描頻率恒定，

所述注入離子的工序，

以測定所述離子束的電流量的次數比以所述離子束掃描物體的次數少的方式進行實施。

10.一種離子注入裝置，其特征在于，具備：

保持部，其保持物體；

掃描部，其構成為在所述物體的表面掃描離子束；

移動部，其使所述保持部向與離子束的掃描方向交叉的方向移動；及

控制部，其預先設定離子注入時的離子束的掃描速度及物體的掃描速度，根據所設定的離子束的掃描速度及物體的掃描速度對所述掃描部以及所述移動部的動作進行控制，

所述控制部，

將所述掃描部控制為，使離子束的掃描振幅根據物體的表面形狀而變化，并以對應于該掃描振幅而變化的規定掃描速度來掃描離子束，以確保離子束的掃描頻率恒定，

所述控制部控制所述移動部，以使物體以對應于離子束的掃描速度而變化的物體的掃描速度移動。