[發明專利]高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路

有效

• 申請號: 201310294100.5
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103414348A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 曹驥;肖本濤
• 申請（專利權）人: 杭州可靠性儀器廠
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;黃美娟

1.高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，包括高壓倍壓電路和低壓倍壓電路，其特征在于：

所述的高壓倍壓電路包括一具有高壓場效應MOS管的第一驅動電路和消磁電路，所述的第一驅動電路包括變壓器原邊的一次繞組、變壓器原邊的二次繞組、第一二極管以及第一MOS管，直流高壓端的正端與所述的變壓器原邊的一次繞組、二次繞組的異名端連接；所述的一次繞組的另一端與第一二極管的陽極連接，所述的第一二極管的陰極與第一MOS管的漏極連接，所述的第一MOS管的柵極與PWM信號相連，所述的第一MOS管的柵極與源極間并聯有第一電阻和第二電容；變壓器原邊的二次繞組的同名端與所述的消磁電路連接；所述的消磁電路的一端與所述的第一MOS管的源極相互連接后接地；

所述的低壓倍壓電路包括具有低壓場效應MOS管的第二驅動電路和儲能元件，所述的第二驅動電路包括變壓器的副邊繞組、第二MOS管、第三MOS管、PNP三極管，直流低壓端的正端與所述的變壓器的副邊繞組的同名端連接，所述的變壓器副邊繞組的同名端分別與第三MOS管的漏極和儲能元件連接，副邊繞組的另一端與所述的第二MOS管的源極連接，所述的第二MOS管的柵極與第三電阻以及第三電容串聯，此串聯電路與副邊繞組的同名端連接；所述的第二MOS管的漏極和源極間并聯有串聯的第四電阻和第四電容；所述的第三MOS管的柵極與第六電阻的一端相連，所述的第六電阻的另一端與所述的PNP三極管的基極相連，所述的PNP三極管的集電極與第五電阻的一端連接并與PWM信號連接，所述的第五電阻的另一端接地；所述的PNP三極管的發射極與第二MOS管的漏極連接；所述的儲能元件的一端與第三MOS管的漏極連接；所述的第三MOS管的源極和第二MOS管的漏極相連接，并通過連接第七電阻后接地；

當第一MOS管處于導通狀態時，能量經由第三MOS管儲存于儲能元件中；

當第一MOS管處于關閉狀態、第三MOS管處于導通狀態時，能量經由變壓器升壓傳遞到直流高壓端。

2.如權利要求1所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：還包括一第一電解電容，連接于變壓器原邊一次繞組同名端與該輸入側共地端之間，用于濾波，直流高壓端的正端與所述的第一電解電容的正端相連。

3.如權利要求1或2所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：還包括一第二電解電容，連接于變壓器副邊繞組與該輸出側共地端之間，用于濾波，直流低壓端的正端與所述的第二電解電容的正端連接。

4.如權利要求3所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：所述的的消磁電路包括第二二極管和第二電阻，變壓器原邊的二次繞組的同名端與所述的第二二極管的陰極連接，所述的第二二極管的陽極與第二電阻連接。

5.如權利要求4所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：所述的變壓器原邊的一次繞組與副邊繞組具有相同的極性。

6.如權利要求5所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：所述的儲能元件為電感。

7.如權利要求6所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：所述的第三MOS管的柵極與第三MOS管的源極間連接有第五電容。

8.如權利要求7所述的高頻PWM技術雙向DC/DC能量交換電路，其特征在于：輸入端為直流高壓，輸出端為直流低壓。