[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制備方法

有效

• 申請號: 201310294094.3
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103383946A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 孫建;李成;安星俊;柳奉烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板，包括基板以及設置在所述基板上的數據線和掃描線，所述數據線和所述掃描線圍成多個像素區域，所述像素區域內設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和有源區，所述柵電極設置在所述有源區的上方，所述源電極和所述漏電極分設在所述有源區的相對兩側，所述像素區域內還設置有遮光金屬層，其特征在于，所述遮光金屬層和所述數據線同層設置在所述基板上，所述遮光金屬層設置在所述有源區下方，且在正投影方向上與所述有源區至少部分重疊，所述數據線靠近所述源電極且在正投影方向上與所述有源區至少部分不重疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光金屬層和所述數據線采用相同的導電材料。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區采用低溫多晶硅材料，所述源電極和所述漏電極采用離子注入的方式形成在所述有源區的相對兩側。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光金屬層設置在所述源電極和所述漏電極對應的區域之間，且在正投影方向上與所述柵電極至少部分重疊。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述有源區中還設置有輕摻雜漏極，所述輕摻雜漏極設置在所述源電極和所述漏電極之間，且分居在所述柵電極對應的區域的兩側。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層設置在所述有源區的下方以及所述基板的上方，所述遮光金屬層和所述數據線被所述緩沖層覆蓋。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵電極為至少一個，所述遮光金屬層為至少一片，所述遮光金屬層與所述柵電極位置對應設置。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述有源區的上方以及所述柵電極的下方，所述有源區以及所述緩沖層被所述柵絕緣層覆蓋。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設置在所述柵電極上方的中間介電層、第一電極、鈍化層以及第二電極，所述第二電極與所述第一電極在正投影方向上至少部分重疊，所述第一電極為板狀或狹縫狀，所述第二電極為狹縫狀；

所述緩沖層、所述柵絕緣層和所述中間介電層在對應著所述數據線的位置開設有第一過孔，所述柵絕緣層和所述中間介電層在對應著所述源電極的位置開設有第二過孔，所述數據線和所述源電極通過所述第一過孔以及所述第二過孔電連接。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極，所述柵絕緣層、所述中間介電層在對應著所述漏電極的位置開設有第三過孔，所述像素電極和所述漏電極通過所述第三過孔電連接；

或者，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極，所述柵絕緣層、所述中間介電層在對應著所述漏電極的位置開設有第三過孔，所述鈍化層在對應著所述漏電極的位置開設有第四過孔，所述像素電極和所述漏電極通過所述第三過孔以及所述第四過孔電連接。

11.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極設置在所述柵絕緣層的上方，所述柵絕緣層在對應著所述漏電極的位置開設有第三過孔，所述像素電極與所述漏電極通過所述第三過孔電連接；

所述柵絕緣層和所述緩沖層在對應所述數據線的位置開設有第一過孔，所述柵絕緣層在對應著所述源電極的位置開設有第二過孔，所述數據線和所述源電極通過所述第一過孔和所述第二過孔電連接。

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-11任意一項所述的陣列基板。

13.一種陣列基板的制備方法，包括在基板上形成數據線、掃描線、遮光金屬層的步驟和形成薄膜晶體管的步驟，形成所述薄膜晶體管包括形成柵電極、源電極、漏電極和有源區的步驟，所述薄膜晶體管和所述遮光金屬層均形成在由所述掃描線和所述數據線圍成的多個像素區域內，其特征在于，所述遮光金屬層和所述數據線在同一步驟中同層形成在所述基板上，所述遮光金屬層形成在所述有源區下方，且在正投影方向上與所述有源區至少部分重疊，所述數據線靠近所述源電極且在正投影方向上與所述有源區至少部分不重疊。