[發明專利]用于晶圓級封裝的方法和裝置有效
| 申請號: | 201310294010.6 | 申請日: | 2013-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN104051429A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 于宗源;陳憲偉;呂文雄;林鴻仁 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/544 | 分類號: | H01L23/544;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 晶圓級 封裝 方法 裝置 | ||
1.一種半導體器件,包括:
襯底;
第一接合焊盤,位于所述襯底上方;
保護環,位于所述襯底上方;
第一對準標記,在所述第一接合焊盤和所述保護環之間位于所述襯底上方。
2.根據權利要求1所述的器件,其中,所述第一對準標記的形狀選自基本上包括圓形、正方形、菱形、L形或中空形狀的組。
3.根據權利要求1所述的器件,其中,所述第一對準標記在所述襯底上方與所述第一接合焊盤處于同一層。
4.根據權利要求1所述的器件,進一步包括:
鈍化層,位于所述襯底上,覆蓋所述第一接合焊盤的第一部分同時暴露所述第一接合焊盤的第二部分;
第一聚合物層,位于所述鈍化層上并且部分地暴露所述第一接合焊盤;
鈍化后互連(PPI)層,位于所述第一聚合物層上方并且與所述第一接合焊盤接觸;以及
其中,所述第一對準標記位于所述第一聚合物層上方的PPI層中。
5.根據權利要求4所述的器件,進一步包括與所述PPI層處于不同層的第二對準標記。
6.根據權利要求4所述的器件,進一步包括:
連接件,位于所述PPI層上,所述連接件位于所述第一接合焊盤和所述保護環之間,并且所述第一對準標記位于所述連接件和所述保護環之間。
7.一種形成封裝器件的方法,包括:
提供具有襯底的晶圓;
形成第一器件,所述第一器件包括:
多個第一接合焊盤,位于所述襯底上方;
保護環,位于所述襯底上方環繞多個所述第一接合焊盤;
多個第一對準標記,在多個所述第一接合焊盤與所述保護環之間位于所述襯底上方;
將第一連接件放置在所述第一接合焊盤上方并將所述第一連接件電連接至所述第一接合焊盤,所述連接件位于所述第一器件的所述第一對準標記與所述第一接合焊盤之間;以及
形成模塑料層,所述模塑料層覆蓋所述第一接合焊盤、所述第一對準標記和所述連接件。
8.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
所述第一器件進一步包括:
第二接合焊盤,位于所述襯底上方,所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤位于被所述保護環環繞的區域內;
第二對準標記,在所述第二接合焊盤與所述保護環之間位于所述襯底上;
將第二連接件放置在所述第二接合焊盤上方并將所述第二連接件電連接至所述第二接合焊盤,其中所述第二連接件位于所述第二對準標記與所述第二接合焊盤之間;以及
形成所述模塑料層以覆蓋所述第一對準標記、所述第二對準標記、所述第一連接件和所述第二連接件。
9.一種半導體器件,包括:
襯底;
第一接合焊盤,位于所述襯底上方;
保護環,位于所述襯底上方;
鈍化層,位于所述襯底上,覆蓋所述第一接合焊盤的一部分同時暴露所述第一接合焊盤;
第一聚合物層,位于所述鈍化層上并部分地暴露所述第一接合焊盤;
鈍化后互連(PPI)層,位于所述第一聚合物層上方并與所述第一接合焊盤接觸;以及
第一對準標記,在所述第一接合焊盤與所述保護環之間位于所述襯底上方。
10.一種形成封裝器件的方法,包括:
接收具有多個管芯的襯底,所述多個管芯中的每一個管芯都具有保護環和位于被所述保護環環繞的區域內的對準標記;
參考所述對準標記來對準切割鋸;以及
切割所述襯底以分離所述多個管芯。
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