[發(fā)明專利]具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310293957.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN104282664B
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭建利;林永昌;林明哲;吳貴盛;林佳芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/552
• 分類號(hào): H01L23/552
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開了一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其包括基底、射頻電路、屏蔽結(jié)構(gòu)以及金屬內(nèi)連線系統(tǒng)。基底包括主動(dòng)面以及背面。射頻電路設(shè)置在基底的主動(dòng)面的一側(cè)。屏蔽結(jié)構(gòu)至少設(shè)置在基底中且包圍射頻電路，屏蔽結(jié)構(gòu)接地，其中屏蔽結(jié)構(gòu)包括屏蔽穿硅電極，屏蔽穿硅電極沒有貫穿基底。金屬內(nèi)連線系統(tǒng)設(shè)置在該基底的主動(dòng)面的一側(cè)，金屬內(nèi)連線系統(tǒng)包括連接線路，且連接線路連接電位信號(hào)至射頻電路。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，特別來(lái)說(shuō)，是關(guān)于一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體裝置，可降低射頻(radio frequency,RF)電路的電磁波干擾。

背景技術(shù)

在現(xiàn)代的信息社會(huì)中，由集成電路(integrated circuit,IC)所構(gòu)成的微處理器系統(tǒng)早已被普遍運(yùn)用于生活的各個(gè)層面，例如自動(dòng)控制的家電用品、行動(dòng)通信設(shè)備、個(gè)人電腦等，都有集成電路的蹤跡。而隨著科技的日益精進(jìn)，以及人類社會(huì)對(duì)于電子產(chǎn)品的各種想象，使得集成電路也往更多元、更精密、更小型的方向發(fā)展。

一般所謂集成電路，是透過(guò)已知半導(dǎo)體工藝中所生產(chǎn)的管芯(die)而形成。制造管芯的過(guò)程，是由生產(chǎn)晶片(wafer)開始：首先，在一片晶片上區(qū)分出多個(gè)區(qū)域，并在每個(gè)區(qū)域上，透過(guò)各種半導(dǎo)體工藝如沉積、光刻、蝕刻或平坦化步驟，以形成各種所需的電路路線，接著，再對(duì)晶片上的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行切割而成各個(gè)管芯，并利用各種的封裝技術(shù)，將管芯封裝成芯片(chip)，最后再將芯片電連至電路板，如印刷電路板(printed circuit board,PCB)，使芯片與印刷電路板的接腳(pin)電性連結(jié)后，便可執(zhí)行各種程式化的處理，而形成完整的封裝體。

而為了因應(yīng)通信時(shí)代的來(lái)臨，現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置常會(huì)設(shè)計(jì)有無(wú)線射頻電路，以執(zhí)行無(wú)線通訊功能。但無(wú)線射頻電路常會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)大的電磁波，容易對(duì)設(shè)置于四周的其他電路產(chǎn)生電磁效應(yīng)的干擾與噪聲(electromagnetic interference,EMI)，而影響其正常運(yùn)作，而這是一個(gè)需要解決與克服的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，以解決上述問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，本發(fā)明提供了一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，包括基底、射頻電路、屏蔽結(jié)構(gòu)以及金屬內(nèi)連線系統(tǒng)。基底包括主動(dòng)面以及背面。射頻電路設(shè)置在基底的主動(dòng)面的一側(cè)。屏蔽結(jié)構(gòu)，至少設(shè)置在基底中且包圍射頻電路，屏蔽結(jié)構(gòu)接地，其中屏蔽結(jié)構(gòu)包括屏蔽穿硅電極，屏蔽穿硅電極沒有貫穿基底。金屬內(nèi)連線系統(tǒng)設(shè)置在該基底的主動(dòng)面的一側(cè)，金屬內(nèi)連線系統(tǒng)包括連接線路，且連接線路連接電位信號(hào)至射頻電路。

根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。包括基底、射頻電路、屏蔽結(jié)構(gòu)以及連接穿硅電極。基底，依序包括有背面、基材、絕緣層、半導(dǎo)體層以及主動(dòng)面。射頻電路設(shè)置在半導(dǎo)體層中。屏蔽結(jié)構(gòu)，至少設(shè)置該半導(dǎo)體層中且包圍射頻電路，屏蔽結(jié)構(gòu)接地，其中屏蔽結(jié)構(gòu)包括屏蔽穿硅電極，屏蔽穿硅電極貫穿半導(dǎo)體層，但沒有延伸至絕緣層。連接穿硅電極貫穿基底，且連接穿硅電極連接電位信號(hào)至射頻電路。

本發(fā)明提供了一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，可有效消除射頻電路的電磁波干擾現(xiàn)象。本發(fā)明考慮到與其他穿硅電極的搭配，以及與硅覆絕緣基底的搭配，而提供了不同的實(shí)施方式與制作方法。

附圖說(shuō)明

圖1至圖2，所繪示為本發(fā)明實(shí)施例中具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3至圖10，所繪示為本發(fā)明實(shí)施例中具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11至圖17，所繪示為本發(fā)明實(shí)施例中形成具有屏蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的步驟示意圖。

附圖標(biāo)記

300,300a, 芯片 322 屏蔽穿硅電極

300b,300c,