[發明專利]采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝

在審

• 申請號: 201310293673.6
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104282799A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 劉穆清;周利榮;沈培俊;李懷輝;張忠衛
• 申請（專利權）人: 上海神舟新能源發展有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，該工藝包括以下步驟：

(1)對經過表面處理過的硅片的背面進行摻雜處理，并通過退火或氧化形成一層保護層；

(2)使用噴墨打印設備在硅片背面噴涂掩模層，避免掩膜層下方的表面被腐蝕；

(3)通過化學液腐蝕的方式將未被保護區域腐蝕一定的厚度，同時將掩膜層去除；

(4)在腐蝕過的區域進行摻雜處理，形成交錯背接觸IBC晶體硅太陽能電池所需要的交錯摻雜區域結構。

2.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(1)中所述的硅片選擇但不限于P型單晶硅片、N型單晶硅片或多晶硅片，硅片厚度40um-300um，電阻率0.3-100Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(1)中所述的硅片的表面處理選擇但不限于RC1、RC2、RC3半導體清洗方式。

4.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(1)中所述的硅片進行摻雜選擇但不限于B、P原子。

5.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，

步驟(1)中所述的退火的溫度為500-1000℃，時間為5-200min，退火氛圍為惰性氣體或惰性氣體與氧氣混合氣體；

步驟(1)中所述的氧化的溫度為500-1000℃，時間為5-200min，氧化氛圍為氧氣或惰性氣體與氧氣混合氣體或氧氣和水蒸汽混合氣體。

6.根據權利要求1或5所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，退火或氧化后在硅片背面形成2nm-5um的保護層，保護層為PSG、BSG、SiN_x或SiO_x。

7.根據權利要求I所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(1)中的摻雜、退火、氧化采用的方法包括但不限于離子注入法、管式擴散、快速退火法或APCVD法。

8.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(2)中所述的掩模層為5-50um厚度的石蠟掩膜層，該掩膜層的圖形根據設計要求變化，掩膜區域與非掩膜區域寬度比0.01-10。

9.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(3)中采用HF、HNO₃、DIH₂O或KOH對無掩膜區域進行腐蝕處理，腐蝕除去的厚度為0.1μm-10μm。

10.根據權利要求1所述的采用掩膜反刻蝕制作IBC電池交錯結構的工藝，其特征在于，步驟(3)中所述的摻雜處理與步驟(1)類似，在腐蝕過的區域摻雜但不限于B、P原子。