[發明專利]非易失性存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201310293667.0
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104051018A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 洪俊雄;郭乃萍;張坤龍;陳耕暉;王裕謙
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

技術領域

本發明是有關于一種存儲器IC，且特別是有關于一種非易失性存儲器裝置及其操作方法，用以解決存儲器產生的數據保持問題。

背景技術

在閃存裝置中，數據是通過陷獲電荷以在多個存儲器單元中建立一單元臨界值來進行儲存。通過感應此單元臨界值，多個數據值可被讀取。然而，當存儲器單元的尺寸縮小時，電荷保持(charge?retention)會遭受損害，因此數據保持(data?retention)也會遭受損害。在用以儲存數據于一段長時間中且經過電源開啟/關閉事件的非易失性存儲器裝置中，數據保持是一個重要的效能因素。

提供一個改善非易失性存儲器的效能的技術(一般來說，即為改善集成電路存儲器的數據保持)是需要的。

發明內容

本發明描述一種包含保持檢查程序的非易失性存儲器裝置，此種存儲器裝置包含：多個存儲器單元中的一陣列，用以使用多個臨界狀態儲存多個數據值，其中該臨界狀態包含一超過一選定的讀取偏壓的一較高臨界狀態；一控制器，包含一保持檢查程序，用以辨識未通過一保持臨界檢查的這些較高臨界狀態的存儲器單元，該控制器更包含一程序，用以使用例如編程來改善這些辨識出的存儲器單元的這些閾值電壓。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1繪示依照本發明的一實施例的執行保持檢查程序的閃存IC的方塊圖。

圖2繪示依照本發明的一實施例的單位元閃存單元的閾值電壓范圍的較低和較高的閾值電壓狀態的簡化圖。

圖3繪示依照本發明的一實施例的在存儲器IC上因電源開啟事件而執行的保持檢查程序的簡化圖。

圖4繪示依照本發明的一實施例的在存儲器IC上執行保持檢查程序的流程圖。

圖5繪示依照本發明的一實施例的在存儲器IC上于待機模式中執行的保持檢查程序的流程圖。

圖6繪示依照本發明的一實施例的用以支持在此所述保持檢查程序的一變化型寫入流程的簡化圖。

圖7簡示一依照本發明的一實施例的用以執行在此所述保持檢查程序的控制器的狀態圖。

【符號說明】

10：主存儲器陣列

11：y通道柵

12：x譯碼器

13：y譯碼器

14：編程數據高壓電路

15：感應放大器

16：編程數據閂鎖器

17：輸入輸出緩沖器

20：指令數據閂鎖器

21：指令數據譯碼器

22：狀態緩存器

23：狀態控制器

24：保持地址閂鎖器

25：編程/擦除/保持高壓電路

30：輸入控制裝置

31：地址閂鎖及緩沖器

35：輸入接腳(CE#，OE#，WE#，RESET#，BYTE#，WP#/ACC)

36：外部地址接腳(A0-AM)

37：輸出墊(Q0-Q15A-1)

50：較低臨界分布

51：較高臨界分布

52：讀取電壓的電壓電平

53：位移的臨界分布

54：字線電壓的電壓電平

55：箭頭

70～74、80～86、100～108、110、111、120、121、150～155：流程步驟

200：電源開啟模式

201：待機模式

202：寫入模式

203：讀取模式

210、211、212、213、217、218、210：過渡期

214、215、216：循環

具體實施方式

本發明詳細描述的實施例搭配標號說明于圖1～圖7。