[發明專利]一種β－碳化硅薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310293452.9 | 申請日： | 2013-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN103346073A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發明（設計）人： | 邊繼明;張志坤;畢凱峰;劉艷紅;劉維峰;秦福文 | 申請（專利權）人： | 大連理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人： | 徐淑東 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，以硅烷作為硅源，氫氣作為硅源稀釋氣體和載氣，以石墨作為襯底和碳源，采用熱絲化學氣相沉積法在石墨襯底上制備β－碳化硅薄膜，然后將其在惰性氣體下進行后續退火處理，完成β－碳化硅薄膜的制備。
2.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述經過后續退火處理后的β－碳化硅薄膜通過微機械剝離法從襯底上剝離。
3.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱絲化學氣相沉積法即利用熱鎢絲的高溫對氣源即硅烷和氫氣進行分解，然后利用分解產生的原子和原子團在較低溫度的襯底上沉積生長，熱鎢絲溫度為2000-2300℃。
4.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅源為濃度5%-10%的氫氣稀釋硅烷，硅烷氣體流量為0.5-1sccm。
5.根據權利要求4所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述硅源為濃度10%的氫氣稀釋硅烷，硅烷氣體流量為0.5sccm。
6.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱絲化學氣相沉積法的反應體系中，氣體壓強為30-40Pa。
7.根據權利要求6所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱絲化學氣相沉積法的反應體系中，氣體壓強為40Pa。
8.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱絲化學氣相沉積法的反應體系中，石墨襯底溫度為250-300℃。
9.根據權利要求8所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱絲化學氣相沉積法的反應體系中，石墨襯底溫度為300℃。
10.根據權利要求1所述的一種β－碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述后續退火處理的退火溫度為500-800℃，退火時間為30-60分鐘。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大連理工大學，未經大連理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310293452.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法
- 下一篇：一種無極燈系統及其點燈方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
