[發(fā)明專利]用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310293382.7
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103383932A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 張雄杰;何洪運;程琳
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導體封裝器件，尤其涉及一種用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

整流器是利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫涣麟娺M行整流，故被廣泛應用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。

在設計開發(fā)連接片結(jié)構(gòu)半導體產(chǎn)品時，為了提升大功率器件芯片表面的導電性能暨提升器件的關(guān)鍵電特性，需要把連接片與芯片焊接部分的面積設計的足夠大。連接片與芯片上表面通過焊料焊接在一起。受限于連接片-芯片焊接區(qū)域和芯片上表面面積的匹配，焊料用量的控制成為關(guān)鍵工藝參數(shù)。焊料偏少會導致器件電特性不良，焊料過多會導致器件短路或早期可靠性失效。現(xiàn)有技術(shù)往往存在隨著時間的延長，會出現(xiàn)各種電性能下降。

因此，如何研發(fā)一種整流芯片封裝結(jié)構(gòu)，能解決上述問題，便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的是提供一種用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)可以自適應吸收多余的焊料，既保證了焊接區(qū)域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因為焊料量多而溢出可焊接區(qū)造成產(chǎn)品失效，提高了產(chǎn)品電性、可靠性和良率。

為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條、第二引線條、連接片和整流芯片，該第一引線條一端的支撐區(qū)連接到所述整流芯片下表面，該整流芯片下表面通過焊錫膏與該第一引線條的支撐區(qū)電連接，第一引線條另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)；

位于所述第二引線條一端的焊接區(qū)與連接片的第一焊接面連接，該第二引線條另一端作為器件電流傳輸?shù)囊_區(qū)；所述連接片第二焊接面與整流芯片上表面通過焊錫膏電連接；

所述連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個通孔。

上述技術(shù)方案中進一步改進的方案如下：

1.?上述方案中，所述連接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度。

2.?上述方案中，所述第一折彎處、第二折彎處與中間區(qū)夾角為125°~145°。

由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果：

1.?本發(fā)明用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側(cè)端面均具有條狀缺口，在保證不降低接觸面積和增加電阻的情況下，可以自適應吸收多余的焊料，從而防止焊料進入非焊接區(qū)，既保證了焊接區(qū)域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因為焊料量多而溢出可焊接區(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率。

2.?本發(fā)明用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區(qū)，此中間區(qū)與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區(qū)高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側(cè)端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個通孔；既可防止焊料進入非焊接區(qū)，避免了因為焊料量多而溢出可焊接區(qū)造成產(chǎn)品失效、短路，提高了產(chǎn)品電性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均勻分布有若干個通孔由于通孔覆蓋溢出的焊料，防止焊料在焊接面邊緣溢出，且利用了連接片中第一通孔的側(cè)面積，減小了接觸電阻和響應時間，降低了功耗，也加強了連接片與整流芯片的連接強度。

附圖說明

附圖1為現(xiàn)有技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)示意圖一；

附圖2為現(xiàn)有技術(shù)封裝結(jié)構(gòu)示意圖二；

附圖3為本發(fā)明用于提高芯片電性能的封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖4為附圖3中A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

以上附圖中：1、第一引線條；11、支撐區(qū)；2、第二引線條；21、焊接區(qū)；3、連接片；31、第一焊接面；32、第二焊接面；33、中間區(qū)；34、第一折彎處；35、第二折彎處；4、整流芯片；5、引腳區(qū)；6、條狀缺口；7、通孔；8、焊料。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步描述：