[發明專利]高可靠性整流器件

有效

• 申請號: 201310293355.X
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103383929A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 張雄杰;何洪運;程琳
• 申請（專利權）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/492
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝器件，尤其涉及一種高可靠性整流器件。

背景技術

整流器是利用二極管的單向導電特性對交流電進行整流，故被廣泛應用于交流電轉換成直流電的電路中。

在設計開發連接片結構半導體產品時，為了提升大功率器件芯片表面的導電性能暨提升器件的關鍵電特性，需要把連接片與芯片焊接部分的面積設計的足夠大。連接片與芯片上表面通過焊料焊接在一起。受限于連接片-芯片焊接區域和芯片上表面面積的匹配，焊料用量的控制成為關鍵工藝參數。焊料偏少會導致器件電特性不良，焊料過多會導致器件短路或早期可靠性失效。現有技術往往存在隨著時間的延長，會出現各種電性能下降。尤其是

因此，如何研發一種整流芯片封裝結構，能解決上述問題，便成為本領域技術人員努力的方向。

發明內容

本發明目的是提供一種高可靠性整流器件，該高可靠性整流器件可以自適應吸收多余的焊料，既保證了焊接區域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因為焊料量多而溢出可焊接區造成產品失效，提高了產品電性、可靠性和良率。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：一種高可靠性整流器件，包括位于環氧封裝體內的第一引線條、第二引線條、連接片和整流芯片，該第一引線條一端的支撐區連接到所述整流芯片下表面，該整流芯片下表面通過焊錫膏與該第一引線條的支撐區電連接，第一引線條另一端作為器件電流傳輸的引腳區；

位于所述第二引線條一端的焊接區與連接片的第一焊接面連接，該第二引線條另一端作為器件電流傳輸的引腳區；所述連接片第二焊接面與整流芯片上表面通過焊錫膏電連接；

所述連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區，此中間區與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個第一通孔，一第二通孔位于第二折彎處、第二焊接面、中間區上，此第二通孔橫跨第二折彎處并延伸到第二焊接面、中間區邊緣區域。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1.?上述方案中，所述連接片的第一焊接面高度低于所述第二焊接面高度。

2.?上述方案中，所述第一折彎處、第二折彎處與中間區夾角為125°~145°。

由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點和效果：

1.?本發明高可靠性整流器件，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區，此中間區與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側端面均具有條狀缺口，在保證不降低接觸面積和增加電阻的情況下，可以自適應吸收多余的焊料，從而防止焊料進入非焊接區，既保證了焊接區域鋪展有足夠面積的焊料，又避免了因為焊料量多而溢出可焊接區造成產品失效、短路，提高了產品電性和可靠性大大提高了良率。

2.?本發明高可靠性整流器件，其連接片的第一焊接面和第二焊接面之間具有一中間區，此中間區與第一焊接面和第二焊接面之間分別設有第一折彎處和第二折彎處，從而使得中間區高度高于第一焊接面和第二焊接面，所述連接片的第二焊接面相對的兩側端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個第一通孔；既可防止焊料進入非焊接區，避免了因為焊料量多而溢出可焊接區造成產品失效、短路，提高了產品電性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均勻分布有若干個第一通孔由于第一通孔覆蓋溢出的焊料，防止焊料在焊接面邊緣溢出，利用了連接片中第一通孔的側面積，減小了接觸電阻和響應時間，降低了功耗，也加強了連接片與整流芯片的連接強度。

3.?本發明高可靠性整流器件，其連接片的第二焊接面相對的兩側端面均具有條狀缺口；所述第二焊接面均勻分布有若干個第一通孔，一第二通孔位于第二折彎處、第二焊接面、中間區上，此第二通孔橫跨第二折彎處并延伸到第二焊接面、中間區邊緣區域；進一步防止焊料進入非焊接區，避免了因為焊料量多而溢出可焊接區造成產品失效、短路，提高了產品電性和可靠性大大提高了良率，第二焊接面均勻分布有若干個第一通孔由于通孔覆蓋溢出的焊料，防止焊料在焊接面邊緣溢出，減小了接觸電阻和響應時間，降低了功耗。

附圖說明

附圖1為現有技術封裝結構示意圖一；

附圖2為現有技術封裝結構示意圖二；

附圖3為本發明高可靠性整流器件結構示意圖；

附圖4為附圖3中A-A剖面結構示意圖。