[發(fā)明專利]用于對便攜式元件充電的設(shè)備和關(guān)聯(lián)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310292967.7 | 申請日: | 2013-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN103545866A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M.徹伊克;Y.瓦斯里夫 | 申請(專利權(quán))人: | 法國大陸汽車公司;大陸汽車有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;H02J17/00;H01M10/44;H01F30/14;H01F27/28 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 馬永利;劉春元 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 便攜式 元件 充電 設(shè)備 關(guān)聯(lián) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于對便攜式元件充電的設(shè)備和關(guān)聯(lián)充電方法。本發(fā)明更特別地涉及用于通過感應(yīng)充電的設(shè)備,其包括位于充電表面下面、發(fā)射垂直于通過它們的電流的磁場的主天線。此磁場被包括在位于充電表面上的便攜式裝置中的輔助天線接收。接收到的磁場的強度然后被便攜式裝置轉(zhuǎn)換成電流以便對所述便攜式裝置充電。
背景技術(shù)
此類充電設(shè)備是本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的。如圖1和2中所示,充電設(shè)備20通常包括一個或多個主天線,稱為發(fā)射天線A1、A2、A3,位于充電設(shè)備20的充電表面Sc下面。這些發(fā)射天線A1、A2、A3被連接到電子電路(在圖1中未示出),其使得控制每個發(fā)射天線A1、A2、A3的發(fā)射是可能的。蜂窩電話或其他類型的便攜式元件10被放置在充電設(shè)備20的充電表面Sc上(參考圖2)。此便攜式元件10包括輔助天線,稱為接收天線Ar。
下面解釋此類充電設(shè)備的操作。電子電路檢測充電表面Sc上的接收天線Ar的位置,并且指示與接收天線Ar最對準(zhǔn)的充電設(shè)備20的(一個或多個)發(fā)射天線A1、A2、A3的發(fā)射。例如通過之前測量每個發(fā)射天線A1、A2、A3的端子處的電壓變化來執(zhí)行接收天線Ar的位置檢測。具有最大電壓變化的(一個或多個)發(fā)射天線A1、A2、A3與接收天線Ar基本上對準(zhǔn)。一個(或多個)發(fā)射天線A1、A2、A3然后發(fā)射垂直于通過它(們)的電流的磁場B,亦即在接收天線Ar的方向上。磁場B是以確定頻率f發(fā)射的,其為接收天線Ar的接收頻率。此類充電設(shè)備20的尺寸和結(jié)構(gòu)可以由WPC(無線充電聯(lián)盟)類型的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定。根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),例如發(fā)射天線A1、A2、A3的發(fā)射頻率在100?kHz和200?kHz之間。
為了優(yōu)選地在便攜式元件10所在的側(cè)上引導(dǎo)磁場B,已知的實踐是為充電設(shè)備20裝配由鐵磁材料30、也稱為鐵氧體(ferrite)30制成的諧振層,其位于發(fā)射天線A1、A2、A3下面,亦即在與便攜式元件10所在側(cè)相對的一側(cè)。磁場B被此鐵氧體30反射并被主要朝著便攜式元件10改向。接收天線Ar接收此磁場B且便攜式元件10然后將接收天線Ar接收到的磁場的強度轉(zhuǎn)換成充電電流。充電在便攜式元件10以磁場的調(diào)制的形式向充電設(shè)備20發(fā)送充電結(jié)束消息時停止,該充電結(jié)束消息經(jīng)由發(fā)射天線A1、A2、A3被接收到且被電子電路解碼。
為了在充電表面Sc上獲得盡可能均勻的磁場B,已知的實踐是在充電設(shè)備20中放置平行于充電表面Sc的至少兩個疊加層的發(fā)射天線A1、A2、A3,位于頂層上的天線相對于位于下層上的天線偏移。如圖2中所示,發(fā)射天線A2位于發(fā)射天線A1和A3之上且其與這些發(fā)射天線A1、A3中的每一個的一部分重疊。然而,發(fā)射的磁場B(參考圖3)在充電設(shè)備20的充電表面Sc上并不是完全均勻的(參考圖2)。便攜式元件10根據(jù)其在充電表面Sc上的位置接收不同強度的磁場。這在圖3中示出,其中,在充電設(shè)備20的縱軸X上示出了磁場B的強度。從此圖3很明顯地呈現(xiàn)出的是磁場B的強度在充電表面Sc的中心部分上、在位置x1和x2之間基本上是均勻的,但是在充電設(shè)備20的邊緣處,從位置0至位置x1和從位置x2至位置L,磁場B的強度顯著下降。這部分地是由于充電設(shè)備20的邊緣處的磁場B的耗散(dissipation)。由于磁場B的強度在這些末端處是不足的,所以便攜式元件10的充電在那里是不可能的或者花費異常長的時間。
此充電設(shè)備20是本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的。在圖4中圖示出結(jié)合到充電設(shè)備20中的控制磁場B的發(fā)射的電子電路40。其包括微處理器類型的連接到發(fā)射單元T和三個輸入開關(guān)Se1、Se2、Se3(例如,機械繼電器或晶體管)的陣列的控制系統(tǒng)S,輸入開關(guān)Se1、Se2、Se3中的每個被連接到發(fā)射天線A1、A2、A3。每個發(fā)射天線A1、A2、A3還被連接到輸出開關(guān)Ss1、Ss2、Ss3且然后連接到至少一個阻抗匹配電容器Ca且最終連接到接收單元R,接收單元R本身被連接到控制系統(tǒng)S。
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