[發(fā)明專利]鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310292627.4
• 申請(qǐng)日: 2013-07-12
• 公開（公告）號(hào): CN104277848A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/78
• 分類號(hào): C09K11/78;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺；

其中，MeInO₃是基質(zhì)，且x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。

2.如權(quán)利要求1所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm～400nm。

3.一種鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據(jù)Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Me₂O₃、In₂O₃和TiO₂粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)制成靶材，其中，x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu；

將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整工作氣體的流量為10sccm～30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa～4.5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為50mm～100mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，濺射功率為60W～300W，在所述襯底上磁控濺射得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺，其中，x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：在得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜后，將所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜在0.001Pa～0.1Pa、500℃～800℃下退火1小時(shí)～3小時(shí)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為25sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為2Pa，所述靶材與所述襯底的間距為75mm，所述襯底的溫度為600℃，所述濺射功率為120W。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為ITO襯底；所述工作氣體為氬氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，通過控制磁控濺射的時(shí)間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜。

8.一種薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層為鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺；

其中，MeInO₃是基質(zhì)，且x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。

9.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；

在所述陽極層上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層為鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺，其中，MeInO₃是基質(zhì)，且x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu；

在所述發(fā)光層上形成陰極層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟：

根據(jù)Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Me₂O₃、In₂O₃和TiO₂粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)制成靶材，其中，x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu；

將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整工作氣體的流量為10sccm～30sccm，工作氣體的壓強(qiáng)為0.2Pa～4.5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為50mm～100mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，濺射功率為60W～300W，在所述襯底上磁控濺射得到鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜，所述鈦摻雜銦酸稀土鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me_1-xInO₃：xTi⁴⁺，其中，x為0.03～0.12，Me為Y、La、Gd或Lu。