[發明專利]一種鍍膜方法、裝置及顯示器

有效

• 申請號: 201310291588.6
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103359951A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 韓帥
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C03C17/00
• 分類號: C03C17/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種鍍膜的方法，其特征在于，該方法包括：

在溶液槽的底部設置下基板，并在其上方設置上基板，將待鍍基板吸附于上基板上，且待鍍基板面向溶液槽；

在溶液槽中加入待鍍物的溶液，其中包括用于形成單層分子膜的待鍍離子；

在下基板和上基板上同時施加外場作用力，使得所述溶液中的待鍍離子形成單層分子膜；

將所述單層分子膜在待鍍基板表面形成薄膜層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述單層分子膜在待鍍基板表面形成薄膜層包括：

將上基板向所述單層分子膜移動，在外場作用力下，將單層分子膜吸附到待鍍基板上；

提拉上基板，并將吸附有單層分子膜的待鍍基板進行熱固化處理，使得在待鍍基板表面形成薄膜層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，將吸附有單層分子膜的待鍍基板進行熱固化處理，包括：

將吸附有單層分子膜的待鍍基板進行預固化，其中固化溫度為130±5℃，固化時間為80s；

將吸附有單層分子膜的待鍍基板再次進行固化，其中固化溫度為230±5℃，固化時間為1500s。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括：通過在溶液槽中多次注入包含有待鍍離子的溶液，并在下基板和上基板上同時施加外場作用力，在待鍍基板表面形成多層薄膜層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待鍍離子，包括單一離子或復合離子。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外場作用力為電場力或磁場力。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述電場力為勻強電場力，所述磁場力為勻強磁場力。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述單層分子膜之后，該方法還包括：

將溶液槽中不用于形成所述單層分子膜的剩余離子通過溶液槽底部的排出口排出。

9.一種通過權利要求1-8任一權項所述方法進行鍍膜的裝置，其特征在于，所述裝置包括：溶液槽、用于對溶液槽中的溶液施加外場作用力以使得將溶液中的待鍍離子形成單層分子膜的上基板和下基板；其中，上基板位于溶液槽上方，下基板位于溶液槽底部，并且上基板還用于吸附待鍍基板。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括用于將吸附有單層分子膜的待鍍基板進行熱固化處理的加熱箱。

11.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述裝置中的溶液槽底部設置有注入口與排出口，其中待鍍離子的溶液通過注入口注入溶液槽中，溶液槽中不用于形成單層分子膜的剩余離子通過排出口排出。

12.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器中的薄膜層包括用權利要求9、10或11所述的鍍膜裝置所制備的薄膜。