[發(fā)明專利]一種用于飛行時(shí)間質(zhì)譜的磁控濺射團(tuán)簇離子源無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310291516.1 | 申請日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104282526A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐紫超;秦正波;張世宇 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號: | H01J49/10 | 分類號: | H01J49/10;H01J49/14 |
| 代理公司: | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 飛行 時(shí)間 磁控濺射 離子源 | ||
1.一種用于飛行時(shí)間質(zhì)譜的磁控濺射團(tuán)簇離子源,其特征在于:該離子源包括腔體(1)、氬進(jìn)氣管(2)、氦進(jìn)氣管(3)、金屬靶材(4)、噴口(5);
金屬靶材(4)位于靠近飛行時(shí)間質(zhì)譜的一側(cè),氬進(jìn)氣管(2)和氦進(jìn)氣管(3)在金屬靶材(4)的兩端,腔體(1)與飛行時(shí)間質(zhì)譜相鄰的一側(cè)有1個(gè)凸向腔體的噴口(5)。
2.按照權(quán)利要求1所述用于飛行時(shí)間質(zhì)譜的磁控濺射團(tuán)簇離子源,其特征在于:所述離子源與飛行時(shí)間質(zhì)譜的質(zhì)量分析器緊密相連,測試時(shí)產(chǎn)生的金屬團(tuán)簇離子直接進(jìn)入質(zhì)譜儀器中,減少了離子在飛行過程中的損耗。
3.按照權(quán)利要求1所述用于飛行時(shí)間質(zhì)譜的磁控濺射團(tuán)簇離子源,其特征在于:所述離子源可應(yīng)用于尺寸可控的原子團(tuán)簇的表面沉積。
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