[發明專利]磁阻結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201310291378.7
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN104143604A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 劉富臺;李干銘;傅乃中
• 申請（專利權）人: 宇能電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

技術領域

本發明是有關于一種磁阻結構，且特別是有關于一種梯級部上的磁阻結構。

背景技術

一般而言，微影與蝕刻技術為形成微細圖案時的優先選擇，微影所用的感光屏蔽材料亦為良好的蝕刻屏蔽，能保護欲留下的圖案不受蝕刻劑的侵蝕。然而，在某些情況下由于待蝕刻物過厚、和感光屏蔽間無良好的蝕刻選擇比、或其他因素，使得在蝕刻時產生意想不到的缺陷或蝕刻后無法得到期望的圖案。

發明內容

本發明的目的在于提供一種磁阻結構，此磁阻結構的迭層結構中具有介電硬屏蔽層，以確保結構的完整性與無缺陷。

本發明提出一種磁阻結構，包含：基板，具有一背表面及包含一梯級部的一前表面；及圖案化的迭層結構，位于該前表面的該梯級部上并包含磁阻層、導電覆層及介電硬屏蔽，其中該梯級部具有與該背表面平行的一上表面、與該背表面平行的一下表面、連接該上表面與該下表面的不平行于該背表面的一段差。

本發明提出一種磁阻結構的形成方法，包含下列步驟：提供一基板，此基板具有一背表面及包含一梯級部的一前表面；毯覆一迭層結構于該基板的該前表面上，此迭層結構包含磁阻層、導電覆層及介電硬屏蔽層；圖案化該介電硬屏蔽層以形成圖案化的介電硬屏蔽層；以該圖案化的介電硬屏蔽層作為屏蔽來圖案化該磁阻層與該導電覆層。

為讓本發明的上述目的、特征和優點更能明顯易懂，下文將以實施例并配合所附圖式，作詳細說明如下。需注意的是，所附圖式中的各組件僅是示意，并未按照各組件的實際比例進行繪示。

附圖說明

圖1與圖2A-2B顯示磁阻結構的形成方法的第一實例。

圖1與圖3A-3C顯示磁阻結構的形成方法的第二實例。

圖4A-4C顯示根據本發明一實施例的磁阻結構的一形成方法。

具體實施方式

本發明在此所探討的是一種磁阻結構的形成方法，特別是一種具有一梯級部磁阻層的磁阻結構的形成方法。此磁阻結構可以是磁阻感測組件、磁性內存....等的一部分，但此類感測組件、磁性內存亦可以包含其他結構如：內建自我測試電路；設定/重設定電路；補償電路；各式用以放大信號、過濾信號、轉換信號用的電路；內聯機....等。為了能徹底且清楚地說明本發明及不模糊本發明的焦點，便不針對此些常用的結構多做介紹。

下面將詳細地說明本發明的較佳實施例，舉凡本中所述的組件、組件子部、結構、材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例，此些實施例當屬本發明的范疇。在閱讀了本發明后，熟知此項技藝者當能在不脫離本發明的精神和范圍內，對上述的組件、組件子部、結構、材料、配置等作些許的更動與潤飾，因此本發明的專利保護范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定者為準，且這些更動與潤飾當落在本發明的申請專利范圍內。

本發明的圖示眾多，為了避免混淆，類似的組件以相同或相似的標號表示。圖示意在傳達本發明的概念及精神，故圖中的所顯示的距離、大小、比例、形狀、連接關系....等皆為示意而非實況，所有能以相同方式達到相同功能或結果的距離、大小、比例、形狀、連接關系....等皆可視為等效物而采用的。

請參考圖1與2A-2B，其顯示了磁阻結構的形成方法的第一實例。在圖1中提供基板100，基板100具有背表面1001及包含一梯級部的前表面。前表面上的梯級部由下列者所構成：與背表面1001平行且較遠離背表面的上表面1002、與背表面1001平行但較靠近背表面的下表面1003以及連接上表面1002與下表面1003且不平行背表面1001的段差H。換言之，上表面1002與背表面1001間的距離大于下表面1003與背表面1001間的距離，上表面1002與下表面1003間有一高度差。雖然在所有的圖示中繪示段差H垂直于背表面1001，但段差H有可能垂直于背表面1001或與背表面1001間夾一不等于直角的角度，較佳的情況是，段差H與上表面1002及下表面1003間的夾角皆為鈍角。