[發明專利]一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶及其應用有效
| 申請號： | 201310291174.3 | 申請日： | 2013-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN103397384A | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 王增梅;王珠峰 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈振濤 |
| 地址： | 211189 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生長 硼酸 銫鋰單晶 籽晶 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶底部為點狀結構。
2.根據權利要求1所述的一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶下部為錐形結構。
3.根據權利要求2所述的一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶上部為柱狀結構。
4.根據權利要求3所述的一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶全長為8-35mm；其上部柱狀結構邊長為2-9mm，下部錐形結構長為5-20mm、錐角為15-75°、頂點直徑為2mm以下。
5.根據權利要求1所述的一種用于生長硼酸銫鋰單晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶底部的點狀結構通過切割、打磨制成。
6.權利要求1至5任一項所述的籽晶在硼酸銫鋰單晶的生長中的應用。
7.如權利要求6所述的應用，其特征在于：包括以下步驟：硼酸銫鋰原料加熱熔融后，緩慢降溫至飽和點，將籽晶底部點狀結構浸入熔融的硼酸銫鋰原料中，旋轉籽晶，即在籽晶底部點狀結構上生長出硼酸銫鋰單晶。
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