[發明專利]半導體裝置和具有半導體裝置的堆疊半導體封裝在審
| 申請號: | 201310291086.3 | 申請日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN103545270A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 李辰熙;金澤眾 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 趙國榮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 具有 堆疊 封裝 | ||
1.一種半導體裝置,包括:
多個半導體芯片,通過劃片線連接;
多個穿通電極,形成在該多個半導體芯片的每一個中;
散熱構件,形成在該劃片線中;以及
傳熱構件,連接該穿通電極與該散熱構件。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中該多個半導體芯片連接成行。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中該多個半導體芯片連接成矩陣形式。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中該散熱構件包括:
穿通部分,穿過該劃片線的一個表面和該劃片線的背對該一個表面的另一個表面;以及
散熱部分,形成在該劃片線之上且與該穿通部分連接。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中該散熱部分形成在該劃片線的該一個表面和該另一個表面的任何一個之上。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置,還包括:
凹陷,通過將該劃片線的該一個表面和該劃片線的背對該一個表面的該另一個表面的至少任何一個蝕刻部分厚度而得到。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置,其中該凹陷填充有該散熱部分。
8.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中該穿通部分形成為多個,從而該穿通部分分別對應于該多個半導體芯片的每一個中形成的該多個穿通電極。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置,其中該散熱部分與該多個穿通部分的全部連接。
10.一種堆疊半導體封裝,包括:
多個半導體裝置,每一個包括通過劃片線連接的多個半導體芯片、形成在該多個半導體芯片的每一個中的多個穿通電極、形成在該劃片線中的散熱構件和連接該穿通電極與該散熱構件的傳熱構件,該半導體裝置堆疊為使得它們的穿通電極和散熱構件彼此連接;以及
多個連接構件,電連接堆疊的該些半導體裝置的該些穿通電極。
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