[發明專利]基于納米壓印技術的周期式啁啾結構等離子激元光譜吸收裝置

有效

• 申請號: 201310290506.6
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103323896A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 王欽華;宋艷芹;樓益民;曹冰;李孝峰
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B5/22
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種基于納米壓印技術的周期式啁啾結構等離子激元光譜吸收裝置，所述裝置包括基底、依次位于基底上的第一金屬層、絕緣體層和第二金屬層，所述第一金屬層、絕緣體層和第二金屬層構成若干等離子諧振腔，其特征在于，所述等離子激元光譜吸收裝置具有若干基于納米壓印技術壓印而成的壓縮腔，壓縮腔之間形成有若干光柵結構，所述光柵周期至少在沿X方向或Z方向或同時兩個方向上是線性啁啾的。

2.根據權利要求1所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述壓縮腔的模壓深度小于第一金屬層、絕緣體層和第二金屬層的厚度之和。

3.根據權利要求1所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述各個光柵寬度在沿X方向或Z方向或同時兩個方向上滿足線性啁啾關系：

Λ_i=Λ₀(1+C_g*i),i=1,2,3,···，

其中，Λ₀代表第一個光柵的寬度，Λ₀取值范圍為0.2～1.0μm，C_g代表啁啾系數，C_g取值范圍為0.01～0.1，i代表第i個光柵，Λ_i代表第i個光柵的寬度。

4.根據權利要求1所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述第二金屬層的厚度大于第一金屬層的厚度。

5.根據權利要求1所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述基底為PMMA基底，第一金屬層和/或第二金屬層包括金屬Au、Ag、Al，絕緣體層包括Ge、Si。

6.根據權利要求3所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述裝置包括若干單元結構，線性啁啾方向上單元結構的周期小于工作波長。

7.根據權利要求6所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述裝置包括若干單元結構，一維周期式啁啾結構中每個單元結構內包括4～9個等離子諧振腔，線性啁啾方向上單元結構內Λ₀取值范圍為0.2～1.0μm，C_g取值范圍為0.01～0.1。

8.根據權利要求6所述的表面等離子激元光譜吸收裝置，其特征在于，所述裝置包括若干單元結構，二維周期式啁啾結構中每個單元結構內包括4×4～9×9個諧振腔，線性啁啾方向上單元結構內Λ₀取值范圍為0.2～1.0μm，C_g取值范圍為0.01～0.1。