[發明專利]高In組分AlInN薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201310290457.6
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103346068A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 李維;毛德豐;王維穎;金鵬;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種高In組分AlInN薄膜的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：在襯底上生長低溫GaN形核層；

步驟2：在低溫GaN形核層上生長高溫GaN緩沖層；

步驟3：在高溫GaN緩沖層上生長AlInN連續漸變緩沖層；

步驟4：在連續漸變緩沖層上生長AlInN層。

2.根據權利要求1所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中所述襯底的材料為藍寶石、Si、GaN、SiC或AlN。

3.根據權利要求1所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中AlInN組分連續漸變緩沖層由下到上，In組分逐漸增大，其底端In組分為0.18，頂端In組分小于或等于AlInN層中的In組分。

4.根據權利要求1所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中AlInN組分連續漸變緩沖層由下至上生長溫度逐漸降低。

5.根據權利要求1所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中AlInN層中In的組分大于18％。

6.一種高In組分AlInN薄膜的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：在襯底上生長低溫GaN形核層；

步驟2：在低溫GaN形核層上生長高溫GaN緩沖層；

步驟3：在高溫GaN緩沖層上生長AlInN躍變緩沖層；

步驟4：在AlInN躍變緩沖層上生長AlInN層。

7.根據權利要求6所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中多層AlInN組分躍變緩沖層中各層的In組分由下到上逐漸增大，其中最底層中In組分為0.18，最頂層中In組分小于或等于AlInN層中的In組分。

8.一種高In組分AlInN薄膜的制備方法，包括如下步驟：

步驟1：在襯底上生長低溫GaN形核層；

步驟2：在低溫GaN形核層上生長高溫GaN緩沖層；

步驟3：在高溫GaN緩沖層上生長InN/AlN超晶格緩沖層；

步驟4：在超晶格緩沖層上生長AlInN層。

9.根據權利要求8所述的高In組分AlInN薄膜的制備方法，其中InN/AlN超晶格緩沖層從最下層開始把其中相鄰的一對InN/AlN層稱為組，自下而上的組中InN層的厚度與該組的厚度的厚度比是逐漸增加的；InN/AlN超晶格緩沖層中的最下一組中InN層的厚度與該組的厚度的厚度比為0.18，InN/AlN超晶格緩沖層中的最上一組中InN層的厚度與該組的厚度的厚度比小于或等于AlInN層中的In組分。