[發明專利]一種凈化裝置

在審

• 申請號: 201310290323.4
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN104056807A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 譚燕;馮瑞芝;曲玲玲
• 申請（專利權）人: 譚燕;馮瑞芝
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12;A61L2/18;A23N12/02;A47J43/24;A23L1/015
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種凈化裝置，所述裝置包括水觸媒發生裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵，其特征在于所述水觸媒發生裝置的電極為鈦合金電極，其上涂覆納米級粒徑的鋯、錫、鉑、鈰、釓和銪組成的經100—120℃下烘干、400～680℃下燒結制備的1～2微米厚的復合層；所述電極基材為鈦合金，按質量份計，含Al：3.9～4.3；Sn：0.9～1.4；Cr：0.9～1.4；Mo：0.9～1.4；Zr：0.9～1.4；Fe：0.26～0.28；C：0.08～0.15；O：0.11～0.25；N：0.004～0.1；H：0.0015～0.025；Si：0.1～0.25，其余為鈦和不可避免的雜質。

2.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=6～15：5～10：5～15：9～17：2～8：3～12，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：3.9～4.2；Sn：1.0～1.4；Cr：1.0～1.4。

3.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=6～13：5～9：5～13：9～15：2～7：3～10，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Mo：1.0～1.4；Zr：1.0～1.4；Fe：0.26～0.27。

4.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=7～13：6～9：6～13：11～15：3～7：4～10，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含C：0.09～0.14；O：0.15～0.25；N：0.005～0.01。

5.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述燒結溫度為400～450℃，所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=8～13：7～9：7～13：12～15：4～7：5～10，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含H：0.015～0.021；Si：0.12～0.22。

6.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=8～12：7～9：7～11：12～14：4～6：5～9，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：3.9～4.1；Sn：1.0～1.2；Cr：1.0～1.2；Mo：1.0～1.2；Zr：1.0～1.2。

7.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=9～12：8～9：8～11：13～14：5～6：6～9，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Fe：0.26～0.27；C：0.1～0.13；O：0.15～0.21；N：0.09～0.1；H：0.017～0.025；Si：0.13～0.25。

8.根據權利要求1的凈化裝置，其特征在于所述超聲波換能器包括發射頭、絕緣墊片、壓電薄片、質量片和電極；所說發射頭、絕緣墊片、壓電薄片和質量片依次設置在同一軸線上；所述電極是由金屬I n制備的電極；所述壓電薄片為60μm厚的聚（芳香雜環1，2-亞乙烯）；所述鋯：錫：鉑：鈰：釓：銪質量比=10：9：10：14：6：8，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：4.1～4.3；Cr：1.1～1.4；Zr：1.1～1.4；Fe：0.27；C：0.1～0.15；O：0.14～0.22；N：0.08～0.1；Si：0.12～0.25。

9.根據權利要求8的凈化裝置，其特征在于所述絕緣墊片分別位于所述發射頭和質量片內端的數目為兩個的絕緣片，其內端設有向左或右轉10～90度的軸向剖面為凹字型且其左右突出部分別位于所述壓電薄片間的、其底端到圓心的半徑大于所述絕緣片的半徑的第一電極片；位于所述凹字型電極片的內側軸向依次設置壓電材料片、直徑大于所述壓電材料片的第二電極片和壓電材料片。