[發(fā)明專利]一種凈化裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310290289.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104054987A | 公開(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚燕;馮瑞芝;曲玲玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 譚燕;馮瑞芝 |
| 主分類號(hào): | A23L1/015 | 分類號(hào): | A23L1/015;B08B3/12;A61L2/18;C02F1/46 |
| 代理公司: | 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 100070 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 凈化 裝置 | ||
1.一種凈化裝置,所述裝置包括水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵,其特征在于所述水觸媒發(fā)生裝置的電極為鈦合金電極,其上涂覆納米級(jí)粒徑的錳、鉑、鈰、釓、銪、金、銻、鈀和釔組成的經(jīng)100—120℃下烘干、400~680℃下燒結(jié)制備的1~2微米厚的復(fù)合層;所述電極基材為鈦合金,按質(zhì)量份計(jì),含Al:3.1~4.0;Sn:0.8~1.9;Cr:0.8~1.9;Mo:0.8~1.9;Zr:0.8~1.9;Fe:0.05~0.09;C:0.08~0.15;O:0.11~0.25;N:0.004~0.1;H:0.0015~0.025;Si:0.1~0.25,其余為鈦和不可避免的雜質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~6:5~15:9~17:2~8:3~12:1~7:2~10:10~23:15~27,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含Al:3.1~3.9;Sn:0.8~1.7;Cr:0.8~1.7。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~5:6~15:9~16:2~7:3~11:1~6:2~9:10~21:15~25,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含Mo:0.9~1.8;Zr:0.9~1.7;Fe:0.06~0.09。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~5:7~15:10~16:3~7:4~11:2~6:3~9:12~21:17~25,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含C:0.09~0.12;O:0.14~0.22;N:0.04~0.1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述燒結(jié)溫度為400~450℃,所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~5:7~13:10~15:3~6:4~10:2~5:3~8:12~19:17~22,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含H:0.018~0.025;Si:0.13~0.22。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~5:8~13:11~15:4~6:6~10:3~5:5~8:13~19:19~22,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含Al:3.3~4.0;Sn:0.9~1.8;Cr:0.9~1.8;Mo:0.9~1.8;Zr:0.9~1.8。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=3~4:9~13:12~15:4~5:6~9:3~4:5~7:14~19:19~21,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含F(xiàn)e:0.06~0.08;C:0.09~0.13;O:0.16~0.22;N:0.007~0.1;H:0.013~0.022;Si:0.13~0.22。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置,其特征在于所述超聲波換能器包括發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片、質(zhì)量片和電極;所說發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片和質(zhì)量片依次設(shè)置在同一軸線上;所述電極是由金屬Ga制備的電極;所述壓電薄片為10μm厚的末端乙炔席夫堿;所述錳:鉑:鈰:釓:銪:金:銻:鈀:釔質(zhì)量比=4:11:13:5:8:4:7:16:20,粒徑為5~30nm;所述鈦合金含Al:3.2~4.0;Sn:1.0~1.7;Mo:1.0~1.7;Fe:0.07~0.09;C:0.09~0.13;O:0.15~0.22;N:0.007~0.1;Si:0.13~0.22。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的凈化裝置,其特征在于所述絕緣墊片分別位于所述發(fā)射頭和質(zhì)量片內(nèi)端的數(shù)目為兩個(gè)的絕緣片,其內(nèi)端設(shè)有向左或右轉(zhuǎn)10~90度的軸向剖面為凹字型且其左右突出部分別位于所述壓電薄片間的、其底端到圓心的半徑大于所述絕緣片的半徑的第一電極片;位于所述凹字型電極片的內(nèi)側(cè)軸向依次設(shè)置壓電材料片、直徑大于所述壓電材料片的第二電極片和壓電材料片。
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