[發(fā)明專利]一種凈化裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310289933.2 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104054977A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 譚燕;馮瑞芝;曲玲玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 譚燕;馮瑞芝 |
| 主分類號(hào)： | A23L1/015 | 分類號(hào)： | A23L1/015;B08B3/12;A61L2/18;C02F1/46 |
| 代理公司： | 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國(guó)文 |
| 地址： | 100070 北京市*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 凈化 裝置 | ||
1.一種凈化裝置，所述裝置包括水觸媒發(fā)生裝置、清洗水槽、超聲波換能器和水泵，其特征在于所述水觸媒發(fā)生裝置的電極為鈦合金電極，其上涂覆納米級(jí)粒徑的錳、鋯、鉑、鈰、釓、銪、釹和鈦組成的經(jīng)100—120℃下烘干、400～680℃下燒結(jié)制備的1～2微米厚的復(fù)合層；所述電極基材為鈦合金，按質(zhì)量份計(jì)，含Al：3.5～3.9；Sn：5.3～5.5；Cr：5.3～5.5；Mo：5.3～5.5；Zr：5.3～5.5；Fe：0.11～0.12；C：0.08～0.15；O：0.11～0.25；N：0.004～0.1；H：0.0015～0.025；Si：0.1～0.25，其余為鈦和不可避免的雜質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=3～6：6～15：5～15：9～17：2～8：3～12：1～10：20～50，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：3.6～3.8；Sn：5.4；Cr：5.4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=3～5：7～15：6～15：9～16：2～7：4～12：2～10：23～50，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Mo：5.4；Zr：5.4；Fe：0.11。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=3～5：8～15：7～15：10～16：3～7：5～12：3～10：26～50，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含C：0.09～0.14；O：0.15～0.22；N：0.007～0.05。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述燒結(jié)溫度為400～450℃，所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=3～5：8～13：7～13：10～15：3～6：5～11：3～9：26～46，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含H：0.004～0.02；Si：0.13～0.23。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=3～5：8～11：7～11：10～13：3～5：5～9：3～7：28～46，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：3.6～3.8；Sn：5.3；Cr：5.3；Mo：5.3；Zr：5.3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=4～5：9～11：7～9：10～11：3～4：5～7：3～5：28～40，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含F(xiàn)e：0.11；C：0.1～0.14；O：0.17～0.22；N：0.009～0.01；H：0.0025～0.025；Si：0.1～0.23。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的凈化裝置，其特征在于所述超聲波換能器包括發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片、質(zhì)量片和電極；所說(shuō)發(fā)射頭、絕緣墊片、壓電薄片和質(zhì)量片依次設(shè)置在同一軸線上；所述電極是由金屬Cu制備的電極；所述壓電薄片為35μm厚的聚（迫位荼）；所述錳：鋯：鉑：鈰：釓：銪：釹：鈦質(zhì)量比=5：10：8：10：4：6：4：28～35，粒徑為5～30nm；所述鈦合金含Al：3.7～3.9；Sn：5.5；Cr：5.5；Zr：5.5；Fe：0.12；C：0.12～0.14；O：0.18～0.22；N：0.008～0.01；H：0.015～0.025。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的凈化裝置，其特征在于所述絕緣墊片分別位于所述發(fā)射頭和質(zhì)量片內(nèi)端的數(shù)目為兩個(gè)的絕緣片，其內(nèi)端設(shè)有向左或右轉(zhuǎn)10～90度的軸向剖面為凹字型且其左右突出部分別位于所述壓電薄片間的、其底端到圓心的半徑大于所述絕緣片的半徑的第一電極片；位于所述凹字型電極片的內(nèi)側(cè)軸向依次設(shè)置壓電材料片、直徑大于所述壓電材料片的第二電極片和壓電材料片。
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