[發明專利]一種A1摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310289805.8
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103413842A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 陳建林;陳薦;郭辰熹;胡琳琳;唐植懿
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/02;H01L31/18;H01L21/208;B82Y40/00
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1.一種Al摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜的生長方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)準備材料：透明導電玻璃、六水合硝酸鋅、九水合硝酸鋁、去離子水；

(2)配制溶液：按比例稱量六水合硝酸鋅和九水合硝酸鋁為溶質，以去離子水為溶劑，配制硝酸鋅與硝酸鋁混合溶液；

(3)陣列膜的制備：以硝酸鋅和硝酸鋁混合水溶液為電沉積溶液，白金鈦網或鉑為陽極(惰性電極)，透明導電膜玻璃為陰極，接通電源，在透明導電膜玻璃上電沉積法生長一層Al摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜；

(4)熱處理：在空氣氣氛下，約530℃，保溫1h，隨爐降溫；真空條件下或N₂+H₂氣氛下的熱處理，約450℃，保溫0.5～1h，隨爐降溫。

2.根據權利要求1所述的一種Al摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜的生長方法，其特征在于，所述六水合硝酸鋅和九水合硝酸鋁為鋅源和鋁源，二者的混合水溶液為電沉積溶液，混合溶液中較佳的Al/Zn原子比例為2at.％～6at.％。

3.根據權利要求2所述的一種Al摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜的生長方法，其特征在于所述硝酸鋅濃度為0.001M～0.05M，硝酸鋁濃度則按權利要求2中Al/Zn原子比例進行配制，極板間距離為1cm～5cm，電沉積溫度為80±3℃，電沉積生長時間為30～90min，較佳的電流密度范圍為-1mA/cm²至-10mA/cm²。

4.一種Al摻雜ZnO透明導電微/納米線陣列膜，其特征在于采用如權利要求1-3所述的方法制備，該陣列膜具有優良的導電性和可見光透明性，同時具有微/納米線陣列膜的絨面陷光效應。