[發明專利]腦組織微觀結構的無創測量方法

有效

• 申請號: 201310289620.7
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN104274176B
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 韓鴻賓
• 申請（專利權）人: 韓鴻賓
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055
• 代理公司: 北京漢德知識產權代理事務所(普通合伙) 11328
• 代理人: 莊一方

1.腦組織微觀結構的無創測量方法，包括：

使用磁共振擴散加權成像腦組織，得到對應所述磁共振擴散加權成像的各權值b_i的腦組織的復數個磁共振圖像，其中i為整數i=1,2,3,4,5,6……，且i≥6；

測定該磁共振圖像內各個像素點的實際圖像信號強度S_i；

定義一個計算圖像信號強度S（b_i），建立所述磁共振圖像內各個像素點的所述計算圖像信號強度S（b_i）與所述磁共振擴散加權成像的權值b_i之間的函數關系，其中該函數關系式為：

，

其中：S₀為未施加擴散敏感梯度脈沖時，所述磁共振圖像內各個像素點的理論信號強度，

f_ECS為腦組織的細胞外間隙容積比率，

f_cell為腦組織的細胞容積比率，

f_vas為腦組織的腦內血管容積比率，

D_ECS為腦組織的細胞外間隙擴散系數，

D_cell為腦組織的細胞擴散系數，

D_vas為腦組織的腦內血管擴散系數；

由所述實際圖像信號強度S_i與所述計算圖像信號強度S（b_i）的方差，通過最小二乘法計算得到所述磁共振圖像中各個像素點的所述細胞外間隙容積比率f_ECS、所述細胞容積比率f_cell、所述腦內血管容積比率f_vas、所述細胞外間隙擴散系數D_ECS、所述細胞擴散系數D_cell和所述腦內血管擴散系數D_vas；和

由所述磁共振圖像中各個像素點的所述細胞外間隙容積比率f_ECS、所述細胞容積比率f_cell、所述腦內血管容積比率f_vas、所述細胞外間隙擴散系數D_ECS、所述細胞擴散系數D_cell和所述腦內血管擴散系數D_vas重構所述磁共振圖像。

2.如權利要求1所述的腦組織微觀結構的無創測量方法，其中求解所述磁共振圖像中各個所述像素點的所述細胞外間隙容積比率f_ECS、所述細胞容積比率f_cell、所述腦內血管容積比率f_vas、所述細胞外間隙擴散系數D_ECS、所述細胞擴散系數D_cell和所述腦內血管擴散系數D_vas的方程組為：

，

，

，

，

，和

。