[發(fā)明專(zhuān)利]金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310289616.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103342337A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬文會(huì);李紹元;周陽(yáng);魏奎先;謝克強(qiáng);伍繼君;秦博;劉大春;楊斌;戴永年 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 |
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| 地址： | 650093 云*** | 國(guó)省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 納米 顆粒 輔助 刻蝕 法制 備介孔硅 方法 | ||
1.一種金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于經(jīng)過(guò)下列各步驟：
（1）硅片預(yù)處理：將硅片依次用丙酮、甲苯、乙醇、去離子水超聲清洗1～30分鐘；
（2）硅片表面的氧化處理：將步驟（1）預(yù)處理后的硅片進(jìn)行表面氧化處理形成氧化層；
（3）腐蝕液的配制：將金屬離子催化劑、質(zhì)量濃度為1%～50%的氫氟酸、氧化試劑按體積比為（0.01～5）:（0.01～10）:（0～10）混合得到腐蝕液；
（4）介孔硅納米的制備：將步驟（2）經(jīng)表面氧化處理的硅片置于步驟（3）所得腐蝕液中，在15～90℃下靜置1～600min后取出硅片，隨后將其置于質(zhì)量濃度為25～98%的硝酸溶液中浸泡1～60min后取出，再用大量去離子水沖洗后以氮?dú)獯蹈桑吹玫浇榭坠杓{米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（1）的硅片為單晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（1）的丙酮、甲苯、乙醇為市購(gòu)分析純。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（2）的氧化處理是采用常規(guī)熱氧化、化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化或光催化氧化對(duì)硅片表面進(jìn)行氧化處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（3）的金屬離子催化劑是濃度為1mol/L的AgNO3、KAuCl4、HAuCl4、K2PtCl6或H2PtCl6溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（3）的氧化試劑是濃度為0.1～10mol/L的H2O2、HNO3、Fe(NO3)3、KMnO4、KBrO3、K2Cr2O7或Na2S2O8。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述步驟（4）中硅片置于腐蝕液中靜置是在避光暗室中進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬納米顆粒輔助刻蝕法制備介孔硅納米線的方法，其特征在于：所述單晶硅片包括n型硅片或p型硅片，電阻率為0.001～1000Ω·cm。
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