[發明專利]固體攝像裝置以及包括其的X射線CT裝置有效
| 申請號: | 201310289034.2 | 申請日: | 2009-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN103379295A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 藤田一樹;森治通;久嶋龍次;本田真彥 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H04N5/367 | 分類號: | H04N5/367;H04N5/353;H04N5/32;H01L27/146 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 以及 包括 射線 ct | ||
本申請是申請日為2009年1月22日、申請號為200980103668.6、發明名稱為固體攝像裝置以及包括其的X射線CT裝置的專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及具備二維配置的多個受光部的固體攝像裝置、以及包括其的X射線CT裝置。
背景技術
作為固體攝像裝置,眾所周知的有使用CMOS技術的固體攝像裝置,其中尤以被動式像素傳感器(PPS:Passive?Pixel?Sensor)方式的固體攝像裝置最為人所知(參照專利文獻1)。PPS方式的固體攝像裝置具有包含產生與入射光強度相應的量的電荷的光電二極管的PPS型像素部二維排列成M行N列的結構。在各像素部中,對應于光入射而在光電二極管中產生電荷被存儲在積分電路的電容元件中,并輸出對應于該存儲電荷量的電壓值。
一般來說,屬于各列的M個像素部各自的輸出端經由對應于該列而設置的讀取用配線,而與對應于該列而設置的積分電路的輸入端連接。然后,在像素部的光電二極管產生的電荷自第1行至第M行為止依次經由對應的讀取用配線而被輸入至對應的積分電路,并從該積分電路輸出與電荷量相應的電壓值。
另外,屬于各行的N個像素部分別經由對應于該行而設置的行選擇用配線,而與控制部連接。根據從該控制部并經由行選擇用配線傳送的行選擇控制信號,各像素部向讀取用配線輸出在光電二極管中產生的電荷。
PPS方式的固體攝像裝置可用于各種用途,例如PPS方式的固體攝像裝置與閃爍器面板組合而作為X射線平板并用于醫療用途以及工業用途。進而,具體來說,PPS方式的固體攝像用于X射線CT裝置或微聚焦X射線檢查裝置等中。用于上述用途的固體攝像裝置具備二維排列有M×N個像素部的大面積的受光部,該受光部可以在各邊的長度超過10cm的大小的半導體基板上被集成化。因此,有時由1片半導體晶圓只能制造1個固體攝像裝置。
專利文獻1:日本特開2006-234557號公報
發明內容
發明所要解決的問題
發明者們就現有的固體攝像裝置進行討論研究的結果,發現了以下的問題。即在現有的固體攝像裝置中,在對應于任意的行的行選擇用配線在制造途中發生斷線的情況下,該行的N個像素部中位于相對于行選擇部更靠近斷線位置處的像素部,通過行選擇用配線而與行選擇部連接,但是,位于相對于行選擇部更遠離斷線位置處的像素部未與行選擇部連接。
即在現有的固體攝像裝置中,在位于相對于行選擇部更遠離斷線位置處的像素部中,對應于光入射而在光電二極管中產生的電荷沒有向積分電路讀取,而是存儲于該光電二極管的接合電容部中。如果存儲于光電二極管的接合電容部的電荷的量超過飽和電平,則超過飽和電平的部分的電荷向相鄰的像素部溢出。
因此,在現有的固體攝像裝置中,在1條行選擇用配線發生斷線時,其影響不僅涉及到與該行選擇用配線連接的行的像素部,而且也涉及到相鄰兩邊的行的像素部,其結果,對于連續的3行像素部產生缺陷線。
另一方面,如果缺陷線不連續,1條缺陷線的相鄰兩邊的線是正常線,則可以使用該相鄰兩邊的正常線的各像素數據來對缺陷線的像素數據進行插補。但是,在對于連續的3行像素部產生缺陷線的情況下,難以進行上述那樣的插補。特別是具有上述那樣的大面積的受光部的固體攝像裝置,由于行選擇用配線長,因而產生斷線的概率高。
在上述專利文獻1中,提出有試圖解決這樣的問題的技術。即在上述專利文獻1所提出的技術中,求出位于缺陷線的相鄰處的鄰接線的全部像素數據的平均值以及位于下一相鄰處的正常的幾條線的全部像素數據的平均值。如果該2個平均值的差為固定值以上,則判斷鄰接線也是缺陷的,并修正該鄰接線的像素數據,進而,基于該鄰接線的像素數據的修正后的值,來修正缺陷線的像素數據。
在上述專利文獻1所提出的技術中,在修正判斷為缺陷的鄰接線的像素數據時,求出相對于該鄰接線的兩側最近的正常線上的2個像素數據的平均值,且將該平均值作為該鄰接線的像素數據。另外,在修正缺陷線的像素數據時,求出相對于該缺陷線的兩側的鄰接線上的2個像素數據的平均值,且將該平均值作為該缺陷線的像素數據。
但是,在上述專利文獻1所提出的技術中,為了修正缺陷線(以及在缺陷線的附近被判斷為缺陷的線)的像素數據,反復多次進行求出2個像素數據的平均的處理,因此,在修正后的圖像中,在缺陷線附近的解析度變低。
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