[發明專利]彩色濾光陣列基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201310288932.6 | 申請日: | 2013-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN103309106A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 董成才 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩色 濾光 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種彩色濾光陣列基板,其特征在于,包括:
一玻璃基板(20),其包括顯示區及位于顯示區外圍的非顯示區;
一第一金屬層,位于所述玻璃基板(20)上,用來形成位于非顯示區的第一外圍金屬層部分(21)及位于顯示區的第一內部金屬層部分;
一絕緣層(22),位于所述玻璃基板(20)以及所述第一金屬層上;
一第二金屬層,位于所述絕緣層(22)上,用來形成位于非顯示區的第二外圍金屬層部分(26)及位于顯示區的第二內部金屬層部分;
一彩色濾光層(23),位于所述絕緣層(22)與第二金屬層之間,所述彩色濾光層(23)包括位于顯示區的彩色部分及位于第一外圍金屬層部分(21)與第二外圍金屬層部分(26)交錯位置的阻隔部分(50);
一透明導電層,位于第二金屬層上。
2.如權利要求1所述的彩色濾光陣列基板,其特征在于,還包括:
一第一保護層(24),位于所述彩色濾光層(23)上;
一主動層(25),位于所述第一保護層(24)上,所述第二金屬層位于所述主動層(25)上;
一第二保護層(27),位于所述第二金屬層以及第一保護層(24)上;
一平坦化層(28),位于所述第二保護層(27)上,所述透明導電層位于該平坦化層(28)上。
3.如權利要求2所述的彩色濾光陣列基板,其特征在于,還包括一非晶硅層(30),該非晶硅層(30)位于第一保護層(24)與主動層(25)之間。
4.如權利要求1所述的彩色濾光陣列基板,其特征在于,所述阻隔部分(50)為單層、雙層或三層結構,當所述阻隔部分(50)為單層結構時,該阻隔部分(50)為紅色色阻層、藍色色阻層或綠色色阻層;當所述阻隔部分(50’)為雙層結構時,該阻隔部分(50’)包括紅色色阻層、藍色色阻層以及綠色色阻層中的任意兩種;當所述阻隔部分(50’’)為三層結構時,該阻隔部分(50’’)包括紅色色阻層、藍色色阻層以及綠色色阻層。
5.一種彩色濾光陣列基板的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供一玻璃基板(20),該玻璃基板(20)包括顯示區及位于顯示區外圍的非顯示區;
步驟2、在所述玻璃基板(20)上形成第一金屬層,并通過光罩制程圖案化該第一金屬層,以形成位于非顯示區的第一外圍金屬層部分(21)及位于顯示區的第一內部金屬層部分,該第一內部金屬層部分包括薄膜晶體管的柵極及存儲電容的一電極;
步驟3、在所述第一金屬層以及玻璃基板(20)上形成絕緣層(22),并通過光罩制程圖案化該絕緣層(22);
步驟4、在所述絕緣層(22)上形成彩色濾光層(23),并通過光罩制程圖案化該彩色濾光層(23),以形成位于顯示區的彩色部分及位于非顯示區的阻隔部分(50);
步驟5、在彩色濾光層(23)上形成第一保護層(24),并通過光罩制程圖案化該第一保護層(24);
步驟6、在第一保護層(24)上形成主動層(25),并通過光罩制程圖案化該主動層(25),以形成所述薄膜晶體管的通道;
步驟7、在主動層(25)上形成第二金屬層,并通過光罩制程圖案化該第二金屬層,以形成位于非顯示區的第二外圍金屬層部分(26)及位于顯示區的第二內部金屬層部分,所述第二內部金屬層部分包括薄膜晶體管的源/漏極,所述阻隔部分(50)位于第一外圍金屬層部分(21)與第二外圍金屬層部分(26)交錯位置;
步驟8、在所述第二金屬層以及第一保護層(24)上形成第二保護層(27),并通過光罩制程圖案化該第二保護層(27);
步驟9、在第二保護層(27)上形成透明導電層,并通過光罩制程圖案化該透明導電層,以形成所述存儲電容的另一電極,該另一電極電性連接于所述薄膜晶體管的源/漏極。
6.如權利要求5所述的彩色濾光陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟8還包括在第二保護層(27)上形成平坦化層(28),并通過光罩制程圖案化該平坦化層(28);所述步驟9中的透明導電層形成于平坦化層(28)上。
7.如權利要求5所述的彩色濾光陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟5還包括在第一保護層(24)上形成非晶硅層(30),并對該非晶硅層(30)進行摻雜制程;所述步驟6中的主動層(25)形成于該非晶硅層(30)上。
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