[發(fā)明專利]一種提高發(fā)光亮度的LED倒裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310288272.1
• 申請(qǐng)日: 2013-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN103346233A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單立偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

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技術(shù)領(lǐng)域

????本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種提高發(fā)光亮度的LED倒裝結(jié)構(gòu)。

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背景技術(shù)

????現(xiàn)有半導(dǎo)體LED?flip?chip（倒裝）制程，受限于材料基底材質(zhì)及藍(lán)寶石層片厚度，無法更有效將量子阱層的發(fā)光更有效的導(dǎo)出。

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發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題，提供一種提高發(fā)光亮度的LED倒裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)靈活，可有效提高發(fā)光效率。

????為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

???一種提高發(fā)光亮度的LED倒裝結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)寶石襯底，在所述藍(lán)寶石襯底表面以鍵合方式，增加一導(dǎo)光層。

???所述導(dǎo)光層為藍(lán)寶石。

???所述在藍(lán)寶石襯底表面鍵合導(dǎo)光層的鍵合層是含銦金屬的氧化物或非氧化物。

???所述導(dǎo)光層上可制成有利于提高光取出效率的多種圖形。

???所述導(dǎo)光層的厚度根據(jù)所需的不同發(fā)光角度設(shè)定。

???本發(fā)明所帶來的有益效果如下：

???1?提高發(fā)光效率。

???2?解決現(xiàn)有倒裝結(jié)構(gòu)因GaN表面(正面)制程后，因表面已有制程圖案，在晶圓倒裝后，無法對(duì)倒裝后的藍(lán)寶石面進(jìn)行如PSS之制程。

???3?可依據(jù)所需之不同發(fā)光角度，鍵合不同厚度的導(dǎo)光層。

???4?導(dǎo)光層可為不同于藍(lán)寶石襯底之材質(zhì)，增加設(shè)計(jì)上的彈性。

???5、鍵合的導(dǎo)光層可單獨(dú)進(jìn)行制程，利于制做出可提高光取出效率的圖形。

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附圖說明

圖1是現(xiàn)有的倒裝制程晶粒結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明所公開的倒裝制程晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明所公開的倒裝制程晶粒實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明所公開的倒裝制程晶粒實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

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具體實(shí)施方式

以下通過附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所提供的設(shè)計(jì)方法做一詳細(xì)的描述。

圖1是現(xiàn)有的倒裝制程晶粒結(jié)構(gòu)圖，圖中從下往上依次是?p-GaN層1、量子阱層MQW?2、n-GaN層3、藍(lán)寶石襯底層4。該結(jié)構(gòu)無法將量子阱層的發(fā)光有效的導(dǎo)出。

圖2是本發(fā)明所公開的倒裝制程晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖，該結(jié)構(gòu)在圖1所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石襯底層4上鍵合了一導(dǎo)光層5。鍵合層6為對(duì)發(fā)光器件波段穿透率高的材料，可為含銦(In)金屬的氧化物或非氧化物，但不限于此。導(dǎo)光層5為藍(lán)寶石或其它材質(zhì)。導(dǎo)光層5的厚度可依據(jù)所需的不同發(fā)光角度來靈活設(shè)置。導(dǎo)光層5可單獨(dú)進(jìn)行制程，導(dǎo)光層5上可制作出有利于提高光取出效率的圖形。

圖3所示的本發(fā)明實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)，是在導(dǎo)光層5上制作PSS表面7。圖4所示的本發(fā)明實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)，是在導(dǎo)光層5上制作的另一種有助于提升光取出效率的圖形8。??

上述具體實(shí)施方式只是用于說明本發(fā)明，并不能用來限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。對(duì)于在本發(fā)明技術(shù)方案的思想指導(dǎo)下的變形和轉(zhuǎn)換，都應(yīng)該歸于本發(fā)明保護(hù)范圍以內(nèi)。