[發明專利]功率放大器

有效

• 申請號: 201310288232.7
• 申請日: 2013-07-10
• 公開（公告）號: CN103546108A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 佐佐木善伸
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

技術領域

本發明涉及在便攜電話終端等中所使用的功率放大器。

背景技術

功率放大器的偏置電路具有根據導通/截止信號對放大器的基極供給偏壓的晶體管。此外，為了減少低頻噪聲，設置有連接在放大器的基極與接地點之間的電容（例如，參照專利文獻1）。在導通/截止信號從導通信號變為截止信號的瞬間，由于貯存在電容中的電荷，放大器保持導通的狀態不變。然后，若電容的電荷經由電阻進行放電，則放大器變為截止。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1??日本特開2004-134826號公報。

在以往的偏置電路中，由于晶體管的截止時的漏電流，在放大器的截止時在電阻中也流過一定的電流，功耗增加。但是，為了使便攜電話的待機時間變長，需要在待機時使在功率放大器中流過的電流為10μA以下。

此外，若為了減少功耗而使電阻的電阻值變大，則放電所需要的時間變長，開關速度變慢。但是，在便攜電話用的功率放大器中，需要以數μs以下進行截止。

發明內容

本發明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到一種功率放大器，能夠減少功耗并且使開關速度變快。

本發明提供一種功率放大器，其特征在于，具備：放大器，具有輸入端子；晶體管，根據導通/截止信號，向所述放大器的所述輸入端子供給偏壓；電容，連接在所述放大器的所述輸入端子與接地點之間；電阻，在所述放大器的所述輸入端子與接地點之間，與所述電容并聯連接；二極管，與所述電阻串聯連接，所述二極管的開啟電壓比所述放大器的導通電壓低。

根據本發明，能夠減少功耗并且使開關速度變快。

附圖說明

圖1是示出本發明的實施方式1的功率放大器的圖。

圖2是示出本發明的實施方式1的偏置電路的圖。

圖3是示出比較例的偏置電路的圖。

圖4是示出本發明的實施方式2的偏置電路的圖。

圖5是示出本發明的實施方式2中的控制信號的時序圖。

圖6是示出本發明的實施方式3的偏置電路的圖。

圖7是示出本發明的實施方式3中的控制信號的時序圖。

圖8是示出本發明的實施方式4的偏置電路的圖。

具體實施方式

參照附圖對本發明的實施方式的功率放大器進行說明。對相同或對應的結構要素標注相同的附圖標記，存在省略重復說明的情況。

實施方式1

圖1是示出本發明的實施方式1的功率放大器的圖。該功率放大器安裝于便攜電話終端等。輸入到輸入端子IN的RF信號被初級晶體管Tr1以及后級晶體管Tr2放大而從輸出端子OUT輸出。此處為兩級放大器，但是并不限于此，只要是兩級以上的多級放大器即可。Tr1以及Tr2由GaAs-HBT構成。

利用偏置電路向Tr1以及Tr2的基極供給基極電流。在Tr1的輸入側設置有輸入匹配電路，在Tr1與Tr2之間設置有級間匹配電路，在Tr2的輸出側設置有輸出匹配電路。對Tr1以及Tr2的集電極施加3.4V左右的集電極電壓，發射極被接地。

圖2是示出本發明的實施方式1的偏置電路的圖。此處，對初級晶體管Tr1用的偏置電路的結構進行說明，但是，后級晶體管Tr2的偏置電路的結構也是同樣的。

偏置電路具有作為GaAs-HBT的晶體管Trb1、Trb2、Trb3、場效應晶體管FETb1、電感器Lb1、電容Cb1、電阻Rb1、Rb2、GaAs肖特基二極管Db1。

FETb1與Rb1串聯連接在Trb1的基極與基準電壓端子VRef之間。連接成二極管的Trb2、Trb3串聯連接在Trb1的基極與接地點之間。Trb1的集電極連接于電源端子VCB，Trb1的發射極與Tr1的基極連接。

Lb1與Cb1串聯連接在Tr1的基極與接地點之間。Cb1是用于減少低頻噪聲的電容，其電容值通常為100pF以上（例如，1000pF）。Rb2在Tr1的基極與接地點之間與Cb1并聯連接。該Rb2是用于在Tr1截止時使Cb1的電荷放電的電阻。

Db1與Rb2串聯連接。Db1的開啟電壓（閾值電壓）設定得比Tr1的導通電壓（閾值電壓）低。例如，作為HBT的Tr1的導通電壓約為1.2V，相對于此，Db1的閾值電壓為0.6V。