[發明專利]多晶硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法以及坩堝

有效

• 申請號: 201310286498.8
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN103396170A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 李儀成;陳潔;程小理;昝武;李建帥
• 申請（專利權）人: 特變電工新疆新能源股份有限公司
• 主分類號: C04B41/87
• 分類號: C04B41/87
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

1.一種多晶硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，包括以下步驟：

1)準備階段：稱取一定量的氮化硅粉；

2)預處理階段：對所述氮化硅粉進行烘烤，再對烘烤后的氮化硅粉進行篩濾；

3)噴涂階段：從篩濾后的氮化硅粉中取出確定量并將之加入去離子水中，攪拌均勻后得到氮化硅液體，將所述氮化硅液體噴涂在坩堝內表面上；

4)燒結階段：對噴涂后的坩堝進行燒結，燒結完畢后在坩堝內表面即形成多晶硅鑄錠用坩堝涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中，所述氮化硅粉采用純度99.5％以上的α-Si₃N₄粉；步驟3)中，所述去離子水采用電阻率為10MΩ.cm以上的去離子水。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，對氮化硅粉進行烘烤具體是將氮化硅粉放入烘箱中，在60～90℃的溫度下對其進行烘烤，烘烤時間為5～9hr。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中，對烘烤后的氮化硅粉進行篩濾具體是采用濾網對烘烤后的氮化硅粉進行篩濾，濾網的目數為80～200。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)具體包括：從篩濾后的氮化硅粉中取出確定量并將之緩慢傾倒于去離子水中，然后在常溫下先高速攪拌10～20min，再低速攪拌10～20min，攪拌均勻后即得到氮化硅液體，然后將所述氮化硅液體噴涂在坩堝內表面上，噴涂厚度為80～200μm。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟3)中，高度攪拌的速度范圍為100～160rpm，低速攪拌的速度范圍為45～70rpm。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟3)中，從篩濾后的氮化硅粉中取出確定量并緩慢傾倒于去離子水中的步驟中，氮化硅粉的用量與去離子水的用量的數值比為0.25～0.3g∶1ml。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，步驟3)中，在將攪拌均勻的氮化硅液體噴涂在坩堝內表面上時，對進行噴涂的氮化硅液體以45～100rpm的速度進行攪拌，且在噴涂過程中，保持坩堝的溫度恒定為50～80℃中的某一個定值。

9.根據權利要求1-8之一所述的方法，其特征在于，步驟4)中，對噴涂后的坩堝進行燒結具體是將噴涂后的坩堝放入燒結爐中進行燒結，燒結時，將所述燒結爐的溫度以2.5～4℃/min的速率升溫至800～1200℃后，再保溫2～5hr。

10.一種坩堝，其特征在于，所述坩堝具有根據權利要求1-9之一所述的方法制成的坩堝涂層。