[發明專利]鉻離子印跡硅膠的制備方法

無效

• 申請號: 201310286216.4
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN104128168A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 毛杰;段厚寶;耿瑞;蔣玉軻
• 申請（專利權）人: 安徽科技學院
• 主分類號: B01J20/286
• 分類號: B01J20/286;B01J20/30
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

①硅膠的活化：將硅膠用濃酸溶液浸泡后再用水洗滌至中性，烘干得活化硅膠后待用；

②制備鉻離子印跡硅膠：將可溶性鉻鹽置于溶劑中后加熱攪拌至固體溶解得鉻鹽溶液，向溶液中加入3-氨基丙基三甲氧基硅烷，于攪拌條件下加熱回流，然后加入正硅酸乙酯，最后加入活化硅膠，經過以上步驟制得鉻離子印跡硅膠初產物；

③鉻離子印跡硅膠的后處理：將所得鉻離子印跡硅膠初產物過濾并用溶劑洗滌至無雜質檢出，然后用酸浸泡至無鉻離子印跡硅膠檢出，最后用水洗滌鉻離子印跡硅膠至中性，烘干得最后產物鉻離子印跡硅膠。

2.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟①中所述硅膠的粒徑為50～200目。

3.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟①中所述濃酸為濃鹽酸、硫酸或硝酸，所述酸溶液的摩爾濃度為8～10?mol/L。

4.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟①中所述硅膠與酸的用量為每克硅膠加5~20ml酸。

5.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟①中所述浸泡的時間為0.5~10h，所述用水為二次蒸餾水，所述烘干溫度為40~120℃。

6.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟②中所述含鉻鹽為氯化鉻、硫酸鉻或醋酸鉻，所述溶劑為甲醇或乙醇溶液。

7.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟②中所述鉻鹽與溶劑的用量為每克含鉻鹽加入20~50?ml溶劑，所述加入胺丙基硅烷的量與含鉻鹽的摩爾比為1:（1～5）。

8.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟②中所述的加熱攪拌回流溫度為60～80℃，加熱攪拌回流時間為?0?.5～5.0h?。

9.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟②中所述加入的活化硅膠用量為3-氨基丙基三甲氧基硅烷的1～2倍；所述繼續加熱攪拌回流的時間為6～48h。

10.如權利要求1所述的鉻離子印跡硅膠的制備方法，其特征在于在步驟②中，所述溶劑為甲醇或乙醇，所述酸的摩爾濃度為0.5～5.0mol/L，所述酸為鹽酸、硝酸或醋酸，所述水為二次蒸餾水，所述烘干的溫度為80℃，烘干的時間為1.0～12.0h。