[發明專利]一種改善光刻對位能力的方法在審
| 申請號： | 201310285937.3 | 申請日： | 2013-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104281020A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發明（設計）人： | 胡駿 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 王愛偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 光刻 對位 能力 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善光刻對位能力的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）在硅襯底上形成零層光刻對準標記圖形；
2）通過刻蝕工藝在硅襯底上刻蝕出深度為500～1000埃溝槽；
3）對硅片進行后道工序。
2.根據權利要求1所述的改善光刻對位能力的方法，其特征在于：所述步驟1）中，利用光刻工藝，在硅襯底上進行光學顯影，形成零層光刻對準標記圖形。
3.根據權利要求1所述的改善光刻對位能力的方法，其特征在于：所述步驟1）中，
a)在硅襯底上沉積一層刻蝕阻擋層；
b)涂布光刻膠覆蓋刻蝕阻擋層的上表面；
c)顯影后，去除部分光刻膠至刻蝕阻擋層的上表面，于剩余光刻膠中形成溝槽；
d)再以刻蝕阻擋層為掩膜，沿溝槽繼續刻蝕，在硅襯底上形成500～1000埃深度的溝槽；
e)利用灰化和化學清洗方法去除剩余的光刻膠，在硅襯底上形成按一定圖形排列的一定深度的溝槽，用于后續各層光刻膠顯影時的對位標記。
4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的改善光刻對位能力的方法，其特征在于：所述步驟2）硅襯底上的對位標記溝槽的刻蝕深度為600～900埃。
5.根據權利要求4所述的改善光刻對位能力的方法，其特征在于：所述步驟2）硅襯底上的對位標記溝槽的刻蝕深度為800埃。
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