[發(fā)明專(zhuān)利]多通道窄波段波譜反照率測(cè)量裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310285581.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103344645A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周紅敏;王錦地;梁順林;屈永華;張開(kāi) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京師范大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N21/84 | 分類(lèi)號(hào): | G01N21/84 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢;王春霞 |
| 地址: | 100875 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 通道 波段 波譜 反照率 測(cè)量 裝置 | ||
1.一種多通道窄波段設(shè)置的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述波譜反照率測(cè)量裝置包括一殼體和分別設(shè)置于所述殼體的頂部和底部上的向上觀測(cè)傳感器和向下觀測(cè)傳感器;
所述向上觀測(cè)傳感器和所述向下觀測(cè)傳感器均包括余弦矯正器、濾光片和探測(cè)器;
所述向上觀測(cè)傳感器中,所述余弦矯正器、所述濾光片和所述探測(cè)器由上至下依次設(shè)置;所述向下觀測(cè)傳感器中,所述余弦矯正器、所述濾光片和所述探測(cè)器由下至上依次設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述余弦矯正器上套設(shè)有外罩;
所述外罩通過(guò)螺絲固定在所述殼體上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述殼體的上下表面均為圓弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述探測(cè)器為硅敏探測(cè)器或熱電堆探測(cè)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述殼體為圓柱體形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述殼體的側(cè)壁上設(shè)有水平儀;
所述水平儀為圓柱體形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述殼體的側(cè)壁上設(shè)有安裝桿。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述殼體的側(cè)壁上設(shè)有信號(hào)輸出口。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述探測(cè)器通過(guò)焊接針腳固定在一平板上;
所述平板固定在所述殼體上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的波譜反照率測(cè)量裝置,其特征在于:所述余弦矯正器的材質(zhì)為聚四氟乙烯。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專(zhuān)用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





