[發明專利]用于從基片去除金屬氧化物的裝置和方法

有效

• 申請號: 201310285295.7
• 申請日: 2006-09-22
• 公開（公告）號: CN103383915B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 衡石·亞歷山大·尹;威廉·蒂;耶茲迪·多爾迪;安德魯·D·貝利三世
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67;H05H1/24
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種產生用于從基片去除金屬氧化物的等離子的方法，包括：

提供通電電極組件，所述通電電極組件包括

通電電極，

第一介電層，以及

第一金屬絲網，其被布置在所述通電電極和所述第一介電層之間；

提供被布置在所述通電電極組件對面的接地電極組件以形成在其中產生等離子的腔，所述第一介電層當所述等離子存在于所述腔中時防護所述第一金屬絲網不受所述等離子影響，所述腔在一端具有出口以用于提供所述等離子來去除所述金屬氧化物；

向所述腔中引入至少一種惰性氣體和至少一種處理氣體；以及

利用所述通電電極對所述腔施加rf場，以由所述至少一種惰性氣體和所述至少一種處理氣體產生所述等離子。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述接地電極組件包括：

接地電極；以及

第二介電層，其當所述等離子存在于所述腔中時被布置在所述接地電極和所述等離子之間。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述接地電極組件進一步包括第二金屬絲網，其被布置在所述接地電極和所述第二介電層之間，其中當所述等離子存在于所述腔中時所述第二介電層防護所述第二金屬絲網不受所述等離子影響。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述腔為環形體積。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述通電電極為配置于所述腔中的縱向探針。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述腔包括沿橫軸的腔直徑，其中所述腔直徑至少與基片直徑一樣大。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一介電層和所述第二介電層是二氧化硅、氮化硅、聚酯類高分子物、陶瓷和聚四氟乙烯中的一種。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一金屬絲網和所述第二金屬絲網是銅、不銹鋼、黃銅和鍍鋅金屬中的一種。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一金屬絲網和所述第二金屬絲網被配置成單絲、矩形編織和六邊形編織中的一種。

10.一種產生用于從基片去除金屬氧化物的等離子的方法，包括：

提供通電電極組件，所述通電電極組件包括

通電電極，

第一介電層，以及

第一金屬絲網，其被布置在所述通電電極和所述第一介電層之間；

提供被布置在所述通電電極組件對面的接地電極組件以形成在其中產生等離子的腔，所述第一介電層當所述等離子存在于所述腔中時防護所述第一金屬絲網不受所述等離子影響，所述腔在一端具有出口以用于提供所述等離子來去除所述金屬氧化物；以及

利用所述通電電極對所述腔施加rf場，以由至少一種惰性氣體和至少一種處理氣體產生所述等離子。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述接地電極組件包括：

接地電極；以及

第二介電層，其當所述等離子存在于所述腔中時被布置在所述接地電極和所述等離子之間。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述接地電極組件進一步包括第二金屬絲網，其被布置在所述接地電極和所述第二介電層之間，其中當所述等離子存在于所述腔中時所述第二介電層防護所述第二金屬絲網不受所述等離子影響。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述腔為環形體積。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述通電電極為配置于所述腔中的縱向探針。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述腔包括沿橫軸的腔直徑，其中所述腔直徑至少與基片直徑一樣大。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第一介電層和所述第二介電層是二氧化硅、氮化硅、聚酯類高分子物、陶瓷和聚四氟乙烯中的一種。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述第一金屬絲網和所述第二金屬絲網是銅、不銹鋼、黃銅和鍍鋅金屬中的一種。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述第一金屬絲網和所述第二金屬絲網被配置成單絲、矩形編織和六邊形編織中的一種。

19.一種用于至少處理基片的處理系統，該處理系統包括：

電鍍系統；以及

多個設備，用于當基片插入電鍍系統時從所述基片上去除金屬氧化物，所述多個設備設在所述電鍍系統外面，所述多個設備形成至少一個第一線性總排出孔集，用于提供等離子簾，該等離子簾在把所述基片插入所述電鍍系統時與所述基片的相同一側的所述基片的切片相接觸，所述基片設置成按照第一方向插入電鍍系統，所述第一線性總排出孔集設置成與基片插入電鍍系統時的所述第一方向相垂直，并且當把基片插入電鍍系統時所述第一線性總排出孔集與所述基片的所述切片相平行，所述多個設備包括至少一個第一設備和第二設備，所述多個設備中的每個設備都包括至少：

通電電極，

第一介電層，以及

第一金屬絲網，其被布置在所述通電電極和所述第一介電層之間；以及

接地電極，所述接地電極的一端有一用來提供去除至少一部分金屬氧化物的等離子的孔，所述第一介電層被布置在所述第一金屬絲網和所述接地電極之間。