[發(fā)明專利]一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310284968.7
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN103346027A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 司鵬超;樊軍鵬;邊秀房;張洪杰
• 申請（專利權(quán)）人: 山東大學
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30
• 代理公司: 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 楊琪

1.一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，包括步驟如下：

（1）（1）Cu-Ti非晶制備：將Cu和Ti進行真空熔煉，澆鑄成合金錠，其中Ti的原子比為20%-30%。而后用單輥真空甩帶機制備成Cu-Ti非晶條帶；

（2）將制得的Cu-Ti非晶置于配制好的硝酸溶液中（濃度1-8mol/L），加0.5-1.5V的恒電位進行電化學腐蝕，時長為1-4h，獲得納米多孔鈦結(jié)構(gòu)。而后置于濃硝酸中4-72h，在25℃條件下改善納米孔形貌。

（3）將濃度為0.01-0.1mol/L的醋酸錳和濃度為0.05-0.1mol/L的醋酸鈉，混合配制成混合水溶液；

（4）電化學沉積MnO₂：將納米多孔鈦結(jié)構(gòu)置于醋酸錳與醋酸鈉的混合溶液中，采用0.65-0.85V恒電位沉積，時間為10s-200s；或者將電壓窗口控制在0.1-1.4V之間某個區(qū)間上循環(huán)伏安法掃描，掃描速度為30-60mV/s，循環(huán)圈數(shù)為1-20圈。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，步驟（1）Cu-Ti合金中，Ti原子比占20%-30%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，步驟（2）所述的電化學方法為加0.5V-1.5V的恒電位，時長1-4h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，步驟（2）所述的硝酸溶液濃度1-8mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，步驟（3）選0.02mol/L醋酸錳和0.1mo/L醋酸鈉混合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于納米多孔鈦骨架的超級電容器材料的制備工藝，其特征是，步驟（4）所述的循環(huán)伏安法掃描選電壓在0.5-1.2V之間。