[發明專利]半導體裝置用膠粘劑組合物、半導體裝置用膠粘薄膜、帶有切割薄膜的膠粘薄膜、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置在審
| 申請號: | 201310284712.6 | 申請日: | 2013-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN103525338A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 菅生悠樹;大西謙司 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | C09J133/00 | 分類號: | C09J133/00;C09J163/00;C09J161/06;C09J7/00;C09J7/02;H01L23/29 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 膠粘劑 組合 膠粘 薄膜 帶有 切割 制造 方法 以及 | ||
技術領域
本發明涉及半導體裝置用膠粘劑組合物、半導體裝置用膠粘薄膜、帶有切割薄膜的膠粘薄膜、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置。?
背景技術
近年的半導體封裝,出于封裝的小型化、功能的高密度安裝化的目的,由DIP(雙排直插封裝)為代表的插入安裝型過渡到BGA(球柵陣列)為代表的表面安裝型。?
這些半導體封裝的制造中,在將半導體芯片膠粘固定到引線框或內插板等被粘物上時,有時使用芯片粘貼(芯片接合)材料。另外,出于高容量化的目的,在將半導體芯片堆疊(重疊)時,有時也使用芯片粘貼材料。?
不過,在內插板等被粘物表面存在數微米的凹凸,即使使用芯片粘貼材料,也不能將被粘物表面的凹凸充分地掩埋,在被粘物與芯片粘貼材料之間產生空隙,存在半導體封裝的可靠性下降的問題(例如專利文獻1)。?
現有技術文獻?
專利文獻?
專利文獻1:日本特開2008-231366號公報?
發明內容
本發明鑒于前述問題而創立,其目的在于提供能夠制造空隙少、?可靠性高的半導體裝置的半導體裝置用膠粘劑組合物、半導體裝置用膠粘薄膜以及帶有切割薄膜的膠粘薄膜。?
本發明人為了解決上述現有技術的問題進行了研究,結果發現,通過將樹脂密封工序時的一般溫度(175℃)下的損耗角正切值(tanδ)調節為特定的值,利用密封樹脂的注入壓力,半導體裝置用膠粘劑組合物可以將被粘物表面的凹凸良好地掩埋,并且完成了本發明。?
即,本發明涉及一種半導體裝置用膠粘劑組合物,該半導體裝置用膠粘劑組合物在175℃加熱1小時后的動態粘彈性測定中的175℃的損耗角正切值(tanδ)為0.2~0.6。?
通過將樹脂密封工序時的一般溫度(175℃)下的損耗角正切值(tanδ)調節為特定的值,利用密封樹脂的注入壓力,半導體裝置用膠粘劑組合物可以將被粘物表面的凹凸良好地掩埋,可以抑制空隙的產生,可以制造可靠性高的半導體裝置。?
本發明中規定了在175℃加熱1小時后的損耗角正切值(tanδ)。這設想的是:在將半導體芯片堆疊的半導體裝置的制造中,通過芯片粘貼工序和絲焊工序而施加給半導體裝置用膠粘劑組合物的熱歷史。近年來,出于高容量化的目的,芯片的堆疊數增加,因此芯片粘貼工序和絲焊工序增加。本發明中,由于設想這些熱歷史,因此在芯片粘貼工序和絲焊工序后進行的樹脂密封工序中,即使半導體裝置用膠粘劑組合物長時間暴露于高溫,也可以將被粘物表面的凹凸良好地掩埋,可以抑制空隙的產生,可以制造可靠性高的半導體裝置。?
損耗角正切值(tanδ)優選在施加頻率1Hz的剪切應變的同時以10℃/分鐘的升溫速度測定。?
在175℃加熱5小時后,動態粘彈性測定中的損耗角正切值(tanδ)?達到最大的溫度優選為-30~75℃。?
在175℃加熱5小時這樣的條件,設想了在將半導體芯片堆疊的半導體裝置的制造中的芯片粘貼工序、絲焊工序及樹脂密封工序的熱歷史,并且所述構成規定了在這些工序后半導體裝置用膠粘劑組合物的損耗角正切值(tanδ)達到最大的溫度范圍。根據所述構成,在半導體裝置的日常使用溫度范圍-30~75℃中,可以得到良好的振動緩和性,可以減少所得到的半導體裝置的故障。?
相對于有機樹脂成分100重量份,熱活化型潛伏性固化催化劑的含量優選為0.05重量份以下。為0.05重量份以下時,半導體裝置用膠粘劑組合物的固化不會受到芯片粘貼工序和絲焊工序的影響而過度進行,可以將175℃的損耗角正切值(tanδ)適當地調節到0.2~0.6的范圍,可以良好地掩埋被粘物表面的凹凸。?
有機樹脂成分100重量%中的丙烯酸類樹脂的含量優選為60~100重量%。由此,可以將被粘物表面的凹凸良好地掩埋,可以抑制空隙的產生,可以制造可靠性高的半導體裝置。?
本發明還涉及一種半導體裝置用膠粘薄膜,該半導體裝置用膠粘薄膜在175℃加熱1小時后的動態粘彈性測定中的175℃的損耗角正切值(tanδ)為0.2~0.6。?
半導體裝置用膠粘薄膜優選作為芯片粘貼薄膜使用。?
本發明還涉及一種帶有切割薄膜的膠粘薄膜,其中,在切割薄膜上層疊有半導體裝置用膠粘薄膜。?
本發明還涉及一種半導體裝置的制造方法,包括使用半導體裝置用膠粘薄膜將半導體芯片芯片粘貼到被粘物上的工序。?
本發明還涉及通過前述制造方法得到的半導體裝置。?
附圖說明
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C09J133-02 .酸的均聚物或共聚物;其金屬鹽或銨鹽
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