[發(fā)明專利]待測樣品的制備及缺陷的分析方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310284583.0 | 申請日： | 2013-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104280276A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何明;郭煒;王瀟;李愛民;劉競文 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 樣品 制備 缺陷 分析 方法 | ||
1.一種待測樣品的制備，包括步驟：
提供用于檢測有源區(qū)是否發(fā)生晶格缺陷的原始樣品；
在所述原始樣品的表面形成金屬層，以得到待測樣品。
2.如權利要求1所述的待測樣品的制備，其特征在于，所述原始樣品包括半導體襯底以及所述有源區(qū)。
3.如權利要求1所述的待測樣品的制備，其特征在于，所述金屬層的材質為鉑或金。
4.如權利要求3所述的待測樣品的制備，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍是15nm～30nm。
5.如權利要求4所述的待測樣品的制備，其特征在于，所述金屬層采用物理濺射工藝形成。
6.一種采用如權利要求1至5中任一所述的樣品的制備所制備的待測樣品。
7.一種缺陷的分析方法，包括步驟：
提供權利要求6所述待測樣品；
對所述待測樣品的表面進行第一次檢測；
對所述待測樣品進行著色處理；
對所述待測樣品的表面進行第二次檢測。
8.如權利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，使用電子掃描法對所述待測樣品的表面進行第一次檢測和第二次檢測。
9.如權利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，所述著色處理是采用酸對所述待測樣品浸泡。
10.如權利要求6所述的缺陷的分析方法，其特征在于，在著色處理之后，進行第二次檢測之前，使用超聲波震蕩清洗去除所述金屬層。
11.如權利要求9所述的缺陷的分析方法，其特征在于，所述超聲波震蕩清洗時間范圍是3分鐘～5分鐘。
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