[發明專利]光刻的迭對值校準方法

有效

• 申請號: 201310284581.1
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN104281019A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 劉達
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種光刻的迭對值校準方法，包括：

步驟一：提供測量晶圓，所述測量晶圓具有一個測量非補償迭對區和至少一個的測量補償迭對區，所述測量補償迭對區上具有第一凹槽，所述測量晶圓和第一凹槽內沉積形成有外延層，所述外延層具有與所述第一凹槽相對應的第二凹槽，所述第一凹槽與第二凹槽之間具有沉積偏移量；

步驟二：分別測量每個所述測量補償迭對區的沉積偏移量；

步驟三：提供待校準晶圓，所述待校準晶圓具有一個待校準非補償迭對區和至少一個的待校準補償迭對區，所述待校準非補償迭對區與所述測量非補償迭對區相對應，所述待校準補償迭對區與所述測量補償迭對區相對應；

步驟四：分別根據每個所述沉積偏移量對相應的所述待校準補償迭對區的迭對測量數據進行補償，得到補償迭對測量數據。

2.如權利要求1所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述測量非補償迭對區為圓形，并位于所述測量晶圓的中心，所述測量補償迭對區為與所述測量非補償迭對區同心的圓環形。

3.如權利要求1所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述補償迭對測量數據=所述迭對測量數據+所述沉積偏移量。

4.如權利要求1-3中任意一項所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述步驟一包括：

提供所述測量晶圓，所述測量補償迭對區上具有所述第一凹槽；

在所述測量晶圓上和所述第一凹槽內沉積形成所述外延層，所述外延層具有所述第一凹槽相對應的所述第二凹槽；以及

在所述外延層上形成光阻凸起，所述光阻凸起暴露出所述第二凹槽。

5.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述步驟二包括：

測量所述光阻凸起與所述第二凹槽距離，得到第一距離；

以所述光阻凸起為掩膜刻蝕所述外延層，得到外延層凸起；

測量所述第一凹槽與所述外延層凸起的距離，得到第二距離；以及

將所述第一距離與第二距離做差，得到所述沉積偏移量。

6.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述在所述外延層上制備光阻凸起的步驟包括：

在所述外延層上沉積光阻層；

選擇性對所述光阻層進行曝光顯影，以形成所述光阻凸起。

7.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述光阻凸起為柱形。

8.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述外延層為鋁外延層。

9.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述測量晶圓表面具有一鈍化層，所述第一凹槽位于所述鈍化層上。

10.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述第一距離和第二距離均由光學方法測量得到。

11.如權利要求4所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，測量所述光阻凸起中心與所述第二凹槽中心的距離，得到所述第一距離；測量所述第一凹槽中心與所述外延層凸起中心的距離，得到所述第二距離。

12.如權利要求1所述的光刻的迭對值校準方法，其特征在于，所述待校準晶圓具有2個～10個所述待校準補償迭對區。