[發明專利]一種提高多晶硅層均勻性的方法

在審

• 申請號: 201310284536.6
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN104282546A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 任東;黃政仕;葉昱均;方贊源
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065;B08B7/00;C30B28/02;C30B29/06
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 劉春生;于寶慶

1.一種提高多晶硅層均勻性的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成非晶硅層；

對所述非晶硅層進行干式表面處理，以形成第一氧化硅層；

從所述非晶硅層的表面去除所述第一氧化硅層；

在所述非晶硅層的表面形成第二氧化硅層；以及

通過結晶化處理使所述非晶硅層形成多晶硅層。

2.權利要求1的方法，其中所述干式表面處理步驟使用極紫外線清洗裝置或大氣壓等離子體清洗裝置進行。

3.權利要求2的方法，其中所述干式表面處理進行10～40秒。

4.權利要求1的方法，其中所述干式表面處理還包括去除表面附著物。

5.權利要求4的方法，其中所述表面附著物包括有機污染物。

6.權利要求1的方法，其中所述去除第一氧化硅層的步驟使用氫氟酸溶液進行。

7.權利要求6的方法，其中所述氫氟酸溶液的質量濃度為0.5%～2%。

8.權利要求1的方法，其中所述去除第一氧化硅層的步驟進行20～40秒。

9.權利要求1的方法，其中所述形成第二氧化硅層的步驟使用臭氧水進行。

10.權利要求9的方法，其中所述臭氧水的濃度為15～30ppm。

11.權利要求1的方法，其中所述形成第二氧化硅層的步驟進行20～40秒。

12.權利要求1的方法，其中所述結晶化處理為準分子激光結晶化處理。

13.前述任一項權利要求的方法，其中所述多晶硅層的晶粒大小為