[發(fā)明專利]一種氮化鎵基發(fā)光二極管及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310284196.7
• 申請(qǐng)日: 2013-07-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103367590A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何安和;林素慧;彭康偉;許圣賢;林瀟雄;徐宸科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/32
• 分類號(hào): H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/64
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種氮化鎵基發(fā)光二極管，包括：

一生長(zhǎng)基板；

發(fā)光外延層，位于生長(zhǎng)基板上，其至下而上依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

一個(gè)開(kāi)口位于第二半導(dǎo)體層上，且延伸至第一半導(dǎo)體層，使得部分第一半導(dǎo)體層裸露；

一透明電流擴(kuò)展層位于第二半導(dǎo)體層之上，至少部分區(qū)域與第二半導(dǎo)體層接觸；

一金屬電極層劃分為第一金屬電極層與第二金屬電極層，第一金屬電極層位于透明電流擴(kuò)展上，第二金屬電極層位于裸露的第一半導(dǎo)體層上；

一金屬粘附層分別位于第一金屬電極層和第二金屬電極層上；

一半導(dǎo)體保護(hù)層位于上述結(jié)構(gòu)之上，通過(guò)半導(dǎo)體保護(hù)層和金屬粘附層開(kāi)口形式，露出金屬電極層表面；

其特征在于：所述金屬粘附層與半導(dǎo)體保護(hù)層的開(kāi)口位置上下對(duì)應(yīng)，大小大體一致。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一金屬電極層通過(guò)透明電流擴(kuò)展開(kāi)口形式與部分第二半導(dǎo)體層接觸。

3.一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其主要包括以下工藝步驟：

1）提供一生長(zhǎng)基板；

2）在生長(zhǎng)基板上制作發(fā)光外延層，其至下而上依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

3）采用蝕刻工藝，從第二半導(dǎo)體層蝕刻出至少一個(gè)開(kāi)口，且延伸至第一半導(dǎo)體層，使得部分第一半導(dǎo)體層裸露；

4）在第二半導(dǎo)體層上制作電流擴(kuò)展層；

5）采用電子束蒸發(fā)或離子濺射工藝，制作第一、第二金屬電極層，分別覆蓋于電流擴(kuò)展層和裸露的第一半導(dǎo)體層之上；

6）采用電子束蒸發(fā)或離子濺射工藝，在第一、第二金屬電極層上制作金屬粘附層；

7）在上述結(jié)構(gòu)上沉積半導(dǎo)體保護(hù)層，并通過(guò)同一道光罩作業(yè)，采用濕法或干法蝕刻工藝，同時(shí)制得半導(dǎo)體保護(hù)層和金屬粘附層開(kāi)口，露出金屬電極層表面；

8）減薄、劃裂成單顆芯粒；

其特征在于：所述金屬粘附層與半導(dǎo)體保護(hù)層的開(kāi)口位置上下對(duì)應(yīng)，大小大體一致。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬粘附層用于增加金屬電極與半導(dǎo)體保護(hù)層之間的附著力。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬粘附層呈環(huán)狀，且環(huán)寬為3~15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬粘附層的厚度為50~1000??。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一、第二金屬電極層和金屬粘附層通過(guò)同一道電子束蒸發(fā)或離子濺射工藝制得。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述制作半導(dǎo)體保護(hù)層和金屬粘附層開(kāi)口所采用的濕法蝕刻溶液為同一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述制作半導(dǎo)體保護(hù)層和金屬粘附層開(kāi)口所采用的干法蝕刻為同一道。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬粘附層材料選用Ti或TiN或Cr或Ni或前述的任意組合之一。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體保護(hù)層材料選用SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃?或TiO₂或前述的任意組合之一。

12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述生長(zhǎng)基板材料選用藍(lán)寶石（Al₂O₃）或碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）或硅（Si）。

13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層材料選用鎳/金合金或鎳/氧化銦錫合金或氧化銦錫或氧化鋅或In摻雜氧化鋅或Al摻雜氧化鋅或Ga摻雜氧化鋅或前述的任意組合之一。

14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述金屬電極層選用Cr或Pt或Au或Ti或Al或Ag或前述的任意組合之一。